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1. (WO2014097897) CIBLE DE PULVÉRISATION EN TANTALE ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097897    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/082764
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 06.12.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.02.2014    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : SENDA Shinichiro; (JP).
NAGATSU Kotaro; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-276883 19.12.2012 JP
Titre (EN) TANTALUM SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN TANTALE ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE CELLE-CI
(JA) タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This tantalum sputtering target is characterized in that in the sputtering surface thereof, the orientation rate in the (200) plane exceeds 70% and the orientation rate in the (222) plane is no greater than 30%. By means of controlling the crystal orientation of the target, the discharge voltage of the tantalum target is reduced, causing plasma to be easily generated, and there is the effect of increasing the stability of plasma.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation en tantale qui est caractérisée en ce que, dans la surface de pulvérisation de celle-ci, le taux d’orientation dans le plan (200) dépasse 70 % et le taux d’orientation dans le plan (222) ne dépasse pas 30 %. Au moyen du contrôle de l’orientation de cristal de la cible, la tension de décharge de la cible en tantale est réduite, ce qui permet de générer aisément un plasma, et il existe un effet d’augmentation de la stabilité du plasma.
(JA)【要約書】 タンタルスパッタリングターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が70%を超え、かつ、(222)面の配向率が30%以下であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。ターゲットの結晶配向を制御することにより、タンタルターゲットの放電電圧を低くしてプラズマを発生し易くすると共に、プラズマの安定性を向上させる効果を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)