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1. (WO2014094363) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRÉPARER UNE PUCE RETOURNÉE DE LUMIÈRE BLANCHE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/094363    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/001607
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 20.12.2013
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : LATTICE POWER (CHANGZHOU) CORPORATION [CN/CN]; YOU, Xiaoli No. 7 Fengxiang Road Wujin High-Tech Industrial Development Zone Changzhou, Jiangsu 213164 (CN).
FENG, Bo [CN/CN]; (CN).
ZHAO, Hanmin [CN/CN]; (CN).
SUN, Qian [CN/CN]; (CN).
PENG, Xiang [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : FENG, Bo; (CN).
ZHAO, Hanmin; (CN).
SUN, Qian; (CN).
PENG, Xiang; (CN)
Données relatives à la priorité :
201210561072.4 21.12.2012 CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING GAN-BASED WHITE-LIGHT FLIP CHIP
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRÉPARER UNE PUCE RETOURNÉE DE LUMIÈRE BLANCHE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
(ZH) 一种GaN基白光倒装芯片的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for preparing a GaN-based white-light flip chip not limited by a growth substrate comprises: growing a buffering layer, an n-type GaN layer (102, 202), an active layer (103, 203) and a p-type GaN layer (104, 204) on a growth substrate (101, 201) in sequence, so as to form a GaN-based semiconductor multi-layer structure; preparing a P electrode (108, 208) and an N electrode (109, 209) on the semiconductor multi-layer structure, the P electrode (108, 208) and the N electrode (109, 209) being located at the same side of the semiconductor multi-layer structure and separated by using a nonconducting dielectric film (107,207); coating first adhesive (110, 210) on the semiconductor multi-layer structure, and carrying solidification with a first temporary substrate (111, 211); stripping off the growth substrate (101, 201); coating second adhesive (112, 212) on the exposed surface of the semiconductor multi-layer structure after the stripping, and carrying combination with a permanent support substrate (113, 213); and removing the first temporary substrate (111, 211) and the first adhesive (110, 210), the permanent support substrate (113, 213) is a ceramic or glass transparent substrate doped with phosphor powder. In the method for preparing the GaN-based white light flip chip, a process of transferring the substrate twice is used, the limit of the growth substrate by the GaN-based flip chip is removed, and the semiconductor multi-layer structure is fixed on the transparent permanent support substrate (113, 213) doped with phosphor powder, so as to obtain the GaN-based LED flip chip emitting directly white light, and the packaging cost can be reduced and the packaging yield can be improved.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de préparer une puce retournée de lumière blanche à base de nitrure de gallium qui n'est pas limitée par un substrat de croissance, ledit procédé consistant à : faire croître en séquence une couche tampon, une couche de nitrure de gallium de type n (102, 202), une couche active (103, 203) et une couche de nitrure de gallium de type p (104, 204) sur un substrat de croissance (101, 201) de sorte à former une structure multicouche semi-conductrice à base de nitrure de gallium ; préparer une électrode de type P (108, 208) et une électrode de type N (109, 209) sur la structure multicouche semi-conductrice, l'électrode de type P (108, 208) et l'électrode de type N (109, 209) étant agencées sur le même côté de la structure multicouche semi-conductrice et étant séparées à l'aide d'un film diélectrique non conducteur (107, 207) ; revêtir un premier adhésif (110, 210) sur la structure multicouche semi-conductrice et réaliser une solidification avec un premier substrat temporaire (111, 211) ; enlever le substrat de croissance (101, 201) ; revêtir un second adhésif (112, 212) sur la surface exposée de la structure multicouche semi-conductrice après l'enlèvement, et réaliser une combinaison avec un substrat de support permanent (113, 213) ; et enlever le premier substrat temporaire (111, 211) et le premier adhésif (110, 210), le substrat de support permanent (113, 213) étant un substrat transparent en céramique ou en verre dopé avec une poudre de luminophore. Dans le procédé permettant de préparer une puce retournée de lumière blanche à base de nitrure de gallium, un processus permettant de transférer deux fois le substrat est utilisé, la limite du substrat de croissance par la puce retournée à base de nitrure de gallium est supprimée, et la structure multicouche semi-conductrice est fixée sur le substrat de support permanent transparent (113, 213) dopé avec la poudre de luminophore de sorte à obtenir la puce retournée à diodes électroluminescentes à base de nitrure de gallium qui émet directement une lumière blanche, le coût de conditionnement peut être réduit et le rendement du conditionnement peut être amélioré.
(ZH)一种不受生长衬底限制的GaN基白光倒装芯片的制备方法,包括:在生长衬底(101,201)上依次生长缓冲层、n型GaN层(102,202)、活性层(103,203)、p型GaN层(104,204),形成GaN基半导体多层结构;在所述半导体多层结构上制备P电极(108,208)和N电极(109,209),所述P电极(108,208)和N电极(109,209)在半导体多层结构的同一侧,且通过不导电的介质膜(107,207)隔离开;在所述半导体多层结构上涂第一胶(110,210),与第一临时基板(111,211)进行固化;将所述生长衬底(101,201)剥离掉;在剥离后暴露的半导体多层结构表面涂第二胶(112,212),与永久支撑基板(113,213)结合;去掉第一临时基板(111,211)和第一胶(110,210);其中所述永久支撑基板(113,213)为掺了荧光粉的陶瓷或玻璃透明基板。所述GaN基白光倒装芯片的制备方法采用两次衬底转移工艺,解除了GaN基倒装芯片对生长衬底的限制,同时将半导体多层结构固定在掺了荧光粉的透明永久支撑基板上,从而得到直接发白光的GaN基LED倒装芯片,能降低封装成本及提高封装良率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)