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1. (WO2014092414) COMPOSITION D'ENCRE SEMI-CONDUCTRICE D'OXYDE D'INDIUM-ZINC DANS LAQUELLE UNE RÉACTION DE COMBUSTION SPONTANÉE A LIEU ET FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR INORGANIQUE PRODUIT AINSI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092414    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/011357
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 09.12.2013
CIB :
C09D 11/03 (2014.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/786 (2006.01)
Déposants : KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY [KR/KR]; 100 Jang-dong Yuseong-gu Daejeon 305-343 (KR)
Inventeurs : CHO, Song yun; (KR).
LEE, Chang Jin; (KR).
KANG, Young Hun; (KR)
Mandataire : LEE, Won-Hee; 8th Fl,. Sung-ji Heights II 642-16 Yoksam-dong Kangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0146086 14.12.2012 KR
10-2013-0149940 04.12.2013 KR
Titre (EN) INDIUM-ZINC-OXIDE SEMICONDUCTOR INK COMPOSITION IN WHICH A SPONTANEOUS COMBUSTION REACTION OCCURS, AND INORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM PRODUCED THEREBY
(FR) COMPOSITION D'ENCRE SEMI-CONDUCTRICE D'OXYDE D'INDIUM-ZINC DANS LAQUELLE UNE RÉACTION DE COMBUSTION SPONTANÉE A LIEU ET FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR INORGANIQUE PRODUIT AINSI
(KO) 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
Abrégé : front page image
(EN)The aim of the present invention is to provide an indium-zinc-oxide semiconductor ink composition in which a spontaneous combustion reaction occurs, and provide an inorganic semiconductor thin film produced thereby. To this end, the present invention provides a semiconductor ink composition which comprises a complex, represented by formula 1, incorporating a nitrate of a metal A which is an oxidising material and incorporating a metal B which is a fuel material; wherein the metal A and the metal B is each respectively a metal selected from the group consisting of indium, gallium, zinc, titanium, aluminium, lithium and zirconium, and metal A and metal B are different from each other. According to the present invention, the indium-zinc-oxide semiconductor ink composition in which a spontaneous combustion reaction occurs, and the inorganic semiconductor thin film produced thereby, can be used as the channel material of a transistor element, and consequently can produce inorganic thin film transistors having improved electrical performance. Also, the present invention is suitable for solution processing and so is easy to produce as a thin film and capable of low temperature processing, and can produce thin films which are dense and uniform due to a spontaneous combustion reaction that occurs on mixing two metal precursors coordinated with a fuel material and an oxidising material.
(FR)La présente invention a pour but de proposer une composition d'encre semi-conductrice d'oxyde d'indium-zinc dans laquelle une réaction de combustion spontanée a lieu, et de proposer un film mince semi-conducteur inorganique produit ainsi. Dans ce but, la présente invention fournit une composition d'encre semi-conductrice qui comprend un complexe, représenté par la formule 1, incorporant un nitrate d'un métal A qui est une matière oxydante et incorporant un métal B qui est une matière combustible ; le métal A et le métal B représentant chacun respectivement un métal choisi dans le groupe consistant en indium, gallium, zinc, titane, aluminium, lithium et zirconium, et le métal A et le métal B étant différents l'un de l'autre. Selon la présente invention, la composition d'encre semi-conductrice d'oxyde d'indium-zinc dans laquelle une réaction de combustion spontanée a lieu, et le film mince semi-conducteur inorganique produit ainsi, peuvent être utilisés comme matière de canal d'un élément transistor, et par conséquent peuvent produire des transistors de film mince inorganique ayant une performance électrique améliorée. Également, la présente invention est appropriée pour traitement en solution et donc est facile à produire sous la forme d'un film mince et apte à traitement à basse température, et peut produire des films minces qui sont denses et uniformes dû à une réaction de combustion spontanée qui a lieu lors du mélange des deux précurseurs métalliques coordonnés avec une matière combustible et une matière oxydante.
(KO)본 발명의 목적은 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막을 제공하는 데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 산화재료인 금속 A의 질화물(nitrate)과 연료재료인 금속 B의 화학식 1로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B는 각각 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속이며, 금속 A와 금속 B는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 연료재료와 산화재료가 배위된 두 금속 전구체를 혼합함으로써 발생하는 자발적인 연소반응에 의하여 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)