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1. (WO2014085664) CAPTEUR INFRAROUGE À MEMS DOTÉ D'UNE LENTILLE PLASMONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/085664    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/072347
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 27.11.2013
CIB :
G01J 5/04 (2006.01), G01J 5/08 (2006.01), G01J 5/02 (2006.01), G01J 5/10 (2006.01), G01J 5/20 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE).
SAMARAO, Ashwin, K. [IN/US]; (US).
O'BRIEN, Gary [US/US]; (US).
FEYH, Ando [DE/US]; (US).
PURKL, Fabian [DE/US]; (US).
YAMA, Gary [US/US]; (US)
Inventeurs : SAMARAO, Ashwin, K.; (US).
O'BRIEN, Gary; (US).
FEYH, Ando; (US).
PURKL, Fabian; (US).
YAMA, Gary; (US)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP One Indiana Square Suite 2200 Indianapolis, IN 46204 (US)
Données relatives à la priorité :
61/731,995 30.11.2012 US
Titre (EN) MEMS INFRARED SENSOR INCLUDING A PLASMONIC LENS
(FR) CAPTEUR INFRAROUGE À MEMS DOTÉ D'UNE LENTILLE PLASMONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a semiconductor device includes forming an absorber on a substrate, and supporting a cap layer over the substrate to define a cavity between the substrate and the cap layer in which the absorber is located. The method further includes forming a lens layer on the cap layer. The lens layer is spaced apart from the cavity and defines a plurality of grooves and an opening located over the absorber.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, le procédé comprenant la formation d'un absorbeur sur un substrat et l'installation d'une couche d'encapsulation sur le substrat pour définir une cavité entre le substrat et la couche d'encapsulation dans laquelle l'absorbeur est situé. Le procédé comprend en outre la formation d'une couche de lentille sur la couche d'encapsulation. La couche de lentille est séparée de la cavité et définit une pluralité de rainures et une ouverture se trouvant au-dessus de l'absorbeur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)