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1. (WO2014084799) MÉMOIRE NON VOLATILE ULTRARAPIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/084799    N° de la demande internationale :    PCT/SI2013/000056
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 30.09.2013
CIB :
G11C 13/04 (2006.01), G11B 7/24 (2013.01)
Déposants : INSTITUT "JOŽEF STEFAN" [SI/SI]; Jamova 39 SI-1000 Ljubljana (SI).
CENTER ODLIČNOSTI NANOZNANOSTI IN NANOTEHNOLOGIJE - CO NANOCENTER [SI/SI]; Jamova cesta 39 SI-1000 Ljubljana (SI)
Inventeurs : STOJČEVSKA, Ljupka; (SI).
MERTELJ, Tomaz; (SI).
VASKIVSKYI, Igor; (UA).
MIHAILOVIC, Dragan; (SI)
Mandataire : ITEM D.O.O.; Resljeva cesta 16 SI-1000 Ljublčjana (SI)
Données relatives à la priorité :
P-201200364 30.11.2012 SI
Titre (EN) ULTRAFAST NONVOLATILE MEMORY
(FR) MÉMOIRE NON VOLATILE ULTRARAPIDE
Abrégé : front page image
(EN)The invention refers to an ultrafast quench based nonvolatile bistable device which consists of an active material on a passive or active substrate which changes its physical properties, after exposure to a sufficiently temporally short external perturbation causing an ultrafast quench. The perturbation can be from an external ultrashort laser pulse or ultrafast electrical pulse from an electrooptic device or any other generator of ultrashort pulses. This change of the materials properties can be detected as a change of optical properties or electrical resistance. The dielectric properties can be reverted back to their original state by the application of a heat pulse applied by an electrical heater within the device or an external laser.
(FR)L'invention concerne un dispositif bistable non volatil à base de trempe ultrarapide qui consiste en un matériau actif sur un substrat passif ou actif qui modifie ses propriétés physiques, après exposition à une perturbation externe suffisamment courte temporellement provoquant une trempe ultrarapide. La perturbation peut provenir d'une impulsion laser ultracourte externe ou d'une impulsion électrique ultrarapide provenant d'un dispositif électrooptique ou de tout autre générateur d'impulsions ultracourtes. Cette modification des propriétés de matériaux peut être détectée comme une modification de propriétés optiques ou de la résistance électrique. Les propriétés diélectriques peuvent être retournées à leur état d'origine par l'application d'une impulsion de chaleur appliquée par un dispositif chauffant électrique à l'intérieur du dispositif ou un laser externe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)