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1. (WO2014083731) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN APPAREIL D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/083731    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/005302
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 06.09.2013
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01), G02F 1/1337 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : PANASONIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY CO., LTD. [JP/JP]; 1-6, Megahida-cho, Shikama-ku, Himeji-shi, Hyogo 6728033 (JP)
Inventeurs : YASUKAWA, Hironori; .
KAWACHI, Genshiro; .
KATO, Tomoya; .
KITA, Kazuo;
Mandataire : HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; Well Shin-Toshin Bldg. 4th Floor, 3-1-4, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-262217 30.11.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN APPAREIL D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)When forming a display panel using a TFT with an oxide semiconductor, ensuring uniformity and reliability of TFT characteristics is difficult. This method for manufacturing a display apparatus is characterized by including: a step for forming a gate electrode on a substrate; a step for forming a gate insulating film; a step for forming an oxide semiconductor; a step for forming a source electrode and a drain electrode; a step for forming a passivation film; a step for forming a common electrode; a step for forming an interlayer insulating film; a step for forming a pixel electrode; a step for forming an oriented film; a step for irradiating ultraviolet rays on the oxide semiconductor; and a step for heat-treating the oxide semiconductor irradiated with ultraviolet rays; the step for irradiating ultraviolet rays being performed after the step for forming an oxide semiconductor, and the step for heat-treating being performed after the step for forming the passivation film.
(FR)Selon la présente invention, lors de la formation d'un panneau d'affichage à l'aide d'un transistor à couches minces (TFT pour Thin Film Transistor) ayant un semi-conducteur d'oxyde, assurer l'uniformité et la fiabilité des caractéristiques de transistor TFT est difficile. La présente invention se rapporte à un procédé permettant de fabriquer un appareil d'affichage, ledit procédé étant caractérisé par le fait qu'il comprend : une étape consistant à former une électrode grille sur un substrat ; une étape consistant à former un film d'isolation de grille ; une étape consistant à former un semi-conducteur d'oxyde ; une étape consistant à former une électrode source et une électrode déversoir ; une étape consistant à former un film de passivation ; une étape consistant à former une électrode commune ; une étape consistant à former un film d'isolation intercouche ; une étape consistant à émettre des rayons ultraviolets sur le semi-conducteur d'oxyde ; et une étape consistant à traiter thermiquement le semi-conducteur d'oxyde irradié avec les rayons ultraviolets ; l'étape consistant à émettre des rayons ultraviolets étant effectuée après l'étape consistant à former un semi-conducteur d'oxyde et l'étape de traitement thermique étant effectuée après l'étape consistant à former le film de passivation.
(JA)酸化物半導体を用いたTFTを用いて表示パネルを形成した場合、TFT特性の均一性や信頼性を確保することが困難である。 表示装置の製造方法であって、基板上にゲート電極を形成するステップと、ゲート絶縁膜を形成するステップと、酸化物半導体を形成するステップと、ソース及びドレイン電極を形成するステップと、パッシベーション膜を形成するステップと、コモン電極を形成するステップと、層間絶縁膜を形成するステップと、画素電極を形成するステップと、配向膜を形成するステップと、前記酸化物半導体に紫外線を照射するステップと、前記紫外線が照射された酸化物半導体を熱処理するステップと、を含み、前記紫外線を照射するステップは、前記酸化物半導体を形成するステップ後に行い、前記熱処理するステップは、前記パッシベーション膜を形成するステップ後に行う、ことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)