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1. (WO2014082292) COMPOSANT TRANSISTOR EN COUCHES MINCES À OXYDE MÉTALLIQUE AUTO-ALIGNÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/082292    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/085643
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 30.11.2012
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO. LTD. [CN/CN]; Room 2005, Overseas High-Tech Venture Building, 29 Gaoxin South Ring Road, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Inventeurs : WEI, Peng; (CN).
YU, Xiaojun; (CN).
LIU, Zihong; (CN)
Mandataire : SHENZHEN ZHONGYI PATENT AND TRADEMARK OFFICE; 4th FL. West(PO Box No.5), Old Special Zone Newspaper Building No. 1014, Shennan Rd., C., Futian Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SELF-ALIGNED METAL OXIDE THIN-FILM TRANSISTOR COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) COMPOSANT TRANSISTOR EN COUCHES MINCES À OXYDE MÉTALLIQUE AUTO-ALIGNÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for producing a self-aligned metal oxide thin-film transistor (TFT) component, which comprises: selecting a substrate (11), and preparing a gate electrode (12) on the substrate (11); arranging an insulation layer (13), a transparent electrode layer (14) and photoresist (15) in sequence on the gate electrode (12); using the gate electrode (12) as a mask, and exposing from a back of the substrate (11) to form source and drain electrodes (141, 142) that are aligned with the gate electrode (12); depositing a metal oxide semiconductor layer (17) on the transparent electrode layer (14); etching the semiconductor layer (17) and the source and drain electrodes (141, 142) to make outer ends of the source and drain electrodes (141, 142) come out of the metal oxide semiconductor layer; depositing a passivation layer (18), and leading out the source and drain electrodes (141, 142). The component uses a transparent conductor as an electrode layer, uses a bottom gate as a mask to perform back exposure, and etches the source and drain electrodes, which implements self-alignment between the source and drain electrodes and the gate electrode, effectively reduces parasitic capacitance, and improves component performance. The component is in a bottom gate and bottom contact structure. No etching blocking layer needs to be fabricated, simplifying a process, reducing usage of photolithographic masks, improving efficiency, and improving electrical characteristics of the component.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un composant transistor en couches minces (TFT) à oxyde métallique auto-aligné, qui comprend : le choix d'un substrat (11) et la préparation d'une électrode de grille (12) sur le substrat (11) ; l'agencement successif d'une couche d'isolant (13), d'une couche d'électrode transparente (14) et d'une résine photosensible (15) sur l'électrode de grille (12) ; l'utilisation de l'électrode de grille (12) comme masque, et l'exposition à partir de l'arrière du substrat (11) pour former des électrodes de source et de drain (141, 142) qui sont alignées avec l'électrode de grille (12) ; le dépôt d'une couche semi-conductrice d'oxyde métallique (17) sur la couche d'électrode transparente (14) ; la gravure de la couche semi-conductrice (17) et des électrodes de source et de drain (141, 142) pour extraire les extrémités extérieures des électrodes de source et de drain (141, 142) de la couche semi-conductrice d'oxyde métallique ; le dépôt d'une couche de passivation (18), et la sortie des électrodes de source et de drain (141, 142). Le composant utilise un conducteur transparent comme couche d'électrode, utilise une grille inférieure comme masque pour effectuer une rétro-exposition, et grave les électrodes de source et de drain, ce qui met en œuvre l'auto-alignement entre les électrodes de source et de drain et l'électrode de grille, réduit efficacement les capacités parasites, et améliore les performances du composant. Le composant est dans une structure de grille inférieure et de contact inférieur. La fabrication d'une couche bloquante de gravure est inutile, ce qui simplifie le processus, réduit l'usage de masques de lithographie, améliore le rendement et améliore les caractéristiques électriques du composant.
(ZH)提供了一种自对准金属氧化物TFT器件的制造方法,包括:选取基板(11),在基板(11)上制备栅极(12);在栅极(12)上依次设置绝缘层(13)、透明电极层(14)及光刻胶(15);以栅极(12)为掩膜,自基板(11)背部曝光,形成与栅极(12)对准的源漏极(141、142);在透明电极层(14)上沉积金属氧化物半导体层(17);刻蚀半导体层(17)及源漏极(141、142),使源漏极(141、142)的外端露于金属氧化物半导体层之外;沉积钝化层(18),并将源漏极(141、142)引出。采用透明导体作为电极层,并以底栅为掩膜进行背部曝光刻蚀源漏电极,实现源漏极与栅极自对准,有效减弱了寄生电容,提高了器件性能。该器件为底栅、底接触结构,无需制作刻蚀阻挡层,简化了工艺,减少了光刻掩膜的使用,提高了效率,并改善了器件的电学特性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)