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1. (WO2014082153) FOUR ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PLAQUES DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/082153    N° de la demande internationale :    PCT/BR2013/000524
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 28.11.2013
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : UNIÃO BRASILEIRA DE EDUCAÇÃO E ASSISTÊNCIA, MANTENEDORA DA PUCRS [BR/BR]; Av. Ipiranga, 6681 prédio 96C, sala 119 CEP-90610-900 Porto Alegre (BR)
Inventeurs : ZANESCO, Izete; (BR).
MOEHLECKE, Adriano; (BR)
Mandataire : REMER, VILLAÇA & NOGUEIRA ASSESSORIA E CONSULTORIA DE PROPRIEDADE INTELECTUAL LTDA; Rua Padre João Manuel, 755, 3o. andar. Jardins CEP-01411-001 São Paulo (BR)
Données relatives à la priorité :
BR102012030601-8  30.11.2012 BR
Titre (EN) FURNACE AND METHOD FOR PROCESSING SILICON WAFERS
(FR) FOUR ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PLAQUES DE SILICIUM
(PT) FORNO E MÉTODO PARA PROCESSAMENTO DE LÂMINAS DE SILÍCIO
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a furnace and method for diffusing dopants into or oxidising wafers made of silicon or another semiconductor material. Said furnace is an apparatus with a non-tubular quartz or SiC processing chamber with a square or rectangular cross-section, depending on the dimensions and number of the silicon wafers. The volume of the chamber is smaller than that of tube furnaces, allowing the consumption of high-purity gases and electricity to be reduced. The system for charging the wafers into and removing the wafers from the processing chamber and for controlling the high-purity gases and temperature is automated. In addition, the present invention describes a method for diffusing dopants into and/or oxidising wafers made of silicon or another semiconductor using the furnace.
(FR)La présente invention concerne un four et un procédé pour la diffusion de dopants ou pour l'oxydation dans des plaques de silicium ou d'un autre matériau semi-conducteur. Ledit four est un équipement à chambre de traitement de quartz ou SiC non tubulaire, la section droite de la chambre pouvant être carrée ou rectangulaire, selon les dimensions et la quantité de plaques de silicium. Le volume de la chambre est réduit par rapport à celui de fours tubulaires, d'où une diminution de la consommation de gaz de haute pureté et d'énergie électrique. Le système d'entrée et sortie des plaques dans la chambre de traitement, de régulation des gaz de haute pureté et de régulation de la température est automatisé. En outre, la présente invention concerne un procédé de diffusion de dopants et/ou d'oxydation dans des plaques de silicium ou d'un autre semi-conducteur, faisant intervenir ce four.
(PT)A presente invenção faz referência a um forno e um método para difusão de dopantes ou para oxidação em lâminas de silício ou outro material semicondutor. O referido forno é um equipamento com câmara de processamento de quartzo ou SiC não tubular, no qual a seção reta da câmara pode ser quadrada ou retangular, conforme as dimensões e quantidade das lâminas de silício. O volume da câmara reduzido em relação ao de fornos tubulares, proporciona a diminuição no consumo de gases de alta pureza e de energia elétrica. O sistema de entrada e saída das lâminas na câmara de processamento, do controle de gases de alta pureza e do controle da temperatura é automatizado. Adicionalmente, a presente invenção descreve método de difusão de dopantes e/ou oxidação em lâminas de silício ou de outro semicondutor utilizando o forno.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : portugais (PT)
Langue de dépôt : portugais (PT)