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1. (WO2014082033) APPAREIL ET PROCÉDÉS POUR PASSIVATION DE CÔTÉ ARRIÈRE DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/082033    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/071673
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 25.11.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
HAWRYLCHAK, Lara [US/US]; (US) (US only).
TOBIN, Jeff [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : HAWRYLCHAK, Lara; (US).
TOBIN, Jeff; (US)
Mandataire : BLANKMAN, Jeffrey I.; SERVILLA WHITNEY LLC 33 Wood Avenue South Second Floor, Suite 210 Iselin, New Jersey 08830 (US)
Données relatives à la priorité :
61/730,051 26.11.2012 US
14/087,815 22.11.2013 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHODS FOR BACKSIDE PASSIVATION
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉS POUR PASSIVATION DE CÔTÉ ARRIÈRE DE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)Provided apparatus and methods for back side passivation of a substrate. The systems comprise an elongate support with an open top surface forming a support ring so that when a substrate is on the support ring, a cavity is formed within the elongate support. A plasma generator is coupled to the cavity to generate a plasma within the cavity to deposit a passivation film on the back side of the substrate.
(FR)L'invention concerne un appareil et des procédés pour passivation du côté arrière d'un substrat. Les systèmes comprennent un support allongé avec une surface supérieure ouverte formant une bague de support de telle sorte que lorsque le substrat est placé sur la bague de support, une cavité est formée à l'intérieur du support allongé. Un générateur de plasma est couplé à la cavité afin de générer un plasma à l'intérieur de cette dernière pour déposer un film de passivation sur le côté arrière du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)