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1. (WO2014081634) ISOLATEUR INTER-COUCHE DE DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ET APPAREIL DE FORMATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081634    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/070309
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 15.11.2013
CIB :
H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; 915 DeGuigne Dr. Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : SUGINO, Rinji; (US).
WANG, Fei; (US)
Mandataire : LEE, Michael, Q.; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox P.L.L.C. 1100 New York Ave, NW, DC Washington, DC 20005 (US)
Données relatives à la priorité :
13/682,826 21.11.2012 US
Titre (EN) INTER-LAYER INSULATOR FOR ELECTRONIC DEVICES AND APPARATUS FOR FORMING SAME
(FR) ISOLATEUR INTER-COUCHE DE DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ET APPAREIL DE FORMATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)A semiconducting device utilizing air-gaps for inter-layer insulation and methods of producing the device are described. The device may be produced by forming a sacrificial layer between two structures. A porous membrane layer is then formed over the sacrificial layer. The membrane layer is porous to an etch product, which allows for the subsequent etching of the sacrificial layer leaving an air gap between the device structures and the membrane intact. The device may also include a cap layer formed above the device structures and the membrane.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur utilisant des vides d'air d'isolation inter-couche et des procédés de production du dispositif. Selon l'invention, le dispositif peut être produit par formation d'une couche sacrificielle entre deux structures. Une couche de membrane poreuse est ensuite formée sur la couche sacrificielle. La couche de membrane est poreuse pour un produit de gravure, ce qui permet de graver ultérieurement la couche sacrificielle en laissant intact un vide d'air entre les structures de dispositif et la membrane. Le dispositif peut également comprendre une couche de recouvrement formée sur les structures du dispositif et sur la membrane.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)