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1. (WO2014080933) ELECTRODE MISE EN OEUVRE DANS UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE OU UN DISPOSITIF D'ENTRÉE, ET CIBLE DE PULVÉRISATION DESTINÉE À ÊTRE UTILISÉE DANS LA FORMATION D'ÉLECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080933    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081261
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 20.11.2013
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), C22C 5/06 (2006.01), C22C 5/08 (2006.01), C22C 21/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01)
Déposants : KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP/JP]; 1-5-1, Wakinohama-kaigan-dori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6510073 (JP).
KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) [JP/JP]; 2-4, Wakinohama-Kaigandori 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP)
Inventeurs : OKUNO Hiroyuki; .
NAKAI Junichi; .
GOTO Hiroshi; .
TAUCHI Yuki; .
SHIDA Yoko; .
IWANARI Yumi;
Mandataire : HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-255360 21.11.2012 JP
2012-271802 12.12.2012 JP
2012-271803 12.12.2012 JP
Titre (EN) ELECTRODE USED IN DISPLAY DEVICE OR INPUT DEVICE, AND SPUTTERING TARGET FOR USE IN ELECTRODE FORMATION
(FR) ELECTRODE MISE EN OEUVRE DANS UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE OU UN DISPOSITIF D'ENTRÉE, ET CIBLE DE PULVÉRISATION DESTINÉE À ÊTRE UTILISÉE DANS LA FORMATION D'ÉLECTRODE
(JA) 表示装置または入力装置に用いられる電極、および電極形成用スパッタリングターゲット
Abrégé : front page image
(EN)This electrode for use in a display device or input device has a laminate film which includes a first layer formed on the substrate side and containing an Al alloy, and a second layer formed on top of the first layer and containing an Ag alloy. The electrode film thickness is 100-800nm, the second layer thickness is 60-480nm, the proportion of the second layer thickness to the electrode film thickness is 10-70%, and the proportion of the first layer thickness to the electrode film thickness is 30% or greater. The Al alloy contains a prescribed amount of a prescribed alloy element.
(FR)L'invention concerne une électrode mise en oeuvre dans un dispositif d'affichage ou un dispositif d'entrée et comprenant un film stratifié constitué d'une première couche formée sur le côté substrat et contenant un alliage de Al, et d'une deuxième couche formée sur la première couche et contenant un alliage de Ag. L'épaisseur de film d'électrode est comprise entre 100 et 800 nm, l'épaisseur de la deuxième couche est comprise entre 60 et 480 nm, la proportion de l'épaisseur de la deuxième couche par rapport à l'épaisseur du film d'électrode est comprise entre 10 et 70% et la proportion de l'épaisseur de la première couche par rapport à l'épaisseur du film d'électrode est de 30% ou supérieure. L'alliage de Al contient une quantité déterminée d'un élément d'alliage déterminé.
(JA) 本発明の表示装置または入力装置に用いられる電極は、基板側に形成されたAl合金を含有する第1層と、その上方に形成されたAg合金を含有する第2層と、を含む積層膜を有する。電極の膜厚は100~800nm、第2層の膜厚は60~480nm、電極の膜厚に占める第2層の膜厚比率は10~70%、電極の膜厚に占める第1層の膜厚比率は30%以上である。Al合金は、所定の合金元素を所定量含有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)