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1. (WO2014080566) APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080566    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/006135
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 16.10.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01)
Déposants : SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 3-6-3 Kitano, Niiza-shi, Saitama 3528666 (JP).
SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : SATO, Ken; (JP).
GOTO, Hirokazu; (JP).
SHIKAUCHI, Hiroshi; (JP).
TSUCHIYA, Keitaro; (JP).
SHINOMIYA, Masaru; (JP).
HAGIMOTO, Kazunori; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-254384 20.11.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体製造装置、半導体装置、および、半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus of the present invention is provided with a tray (12) disposed in a chamber, and a heater (20) that heats the tray (12) from the lower surface side, and the apparatus forms an electron supply layer (123) on a substrate (110) by heating the substrate (110) disposed on the tray (12) by means of the heater (20) via the tray (12), said electron supply layer being configured from a nitride compound semiconductor. This semiconductor manufacturing apparatus is characterized in being configured such that, at the time of forming the epitaxial growth layer (123), an amount of heat to be applied to the tray (12) from the heater (20) can be increased in a region where the distance between the lower surface of the substrate (110) and the upper surface of the tray (12) is large compared with a region where the distance between the lower surface of the substrate (110) and the upper surface of the tray (12) is small. Consequently, the semiconductor manufacturing apparatus, which is capable of reducing temperature distribution generated in the substrate at the time of forming the epitaxial growth layer, is provided.
(FR)La présente invention concerne un appareil pourvu d'un plateau (12) disposé dans une chambre et d'un élément chauffant (20) qui chauffe le plateau (12) depuis le côté surface inférieure, et l'appareil forme une couche de fourniture d'électrons (123) sur un substrat (110) par chauffe du substrat (110) disposé sur le plateau (12) au moyen de l'élément chauffant (20) par l'intermédiaire du plateau (12), ladite couche de fourniture d'électrons étant conçue à partir d'un semi-conducteur à composé nitrure. L'appareil de fabrication de semi-conducteur de l'invention est caractérisé en ce qu'il est conçu de sorte que, au moment de la formation de la couche de croissance épitaxiale (123), on peut augmenter une quantité de chaleur à appliquer au plateau (12) à partir de l'élément chauffant (20) dans une région où la distance entre la surface inférieure du substrat (110) et la surface supérieure du plateau (12) est grande par comparaison avec une région où la distance entre la surface inférieure du substrat (110) et la surface supérieure du plateau (12) est petite. Par conséquent, la présente invention fournit l'appareil de fabrication de semi-conducteur qui permet de réduire la distribution de température générée dans le substrat au moment de la formation de la couche de croissance épitaxiale.
(JA) 本発明は、チャンバ内に設置されたトレイ12と、トレイ12を下面側から加熱するヒータ20と、を備え、トレイ12上に配置された基板110をヒータ20でトレイ12を介して加熱して、基板110上に窒化物系化合物半導体で構成される電子供給層123を形成する装置である。そして、エピタキシャル成長層123を形成する際に、基板110の下面とトレイ12の上面との間隔が広い部分では、基板110の下面とトレイ12の上面との間隔が狭い部分に比べ、ヒータ20からトレイ12に与えられる熱量を高くすることが可能な構成にされていることを特徴とする半導体製造装置である。これにより、エピタキシャル成長層の形成時に基板に生じる温度分布を小さくすることができる半導体製造装置が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)