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1. (WO2014080565) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE SOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080565    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/006118
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), C30B 31/22 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : QU, Wei Feng; (JP).
TAHARA, Fumio; (JP).
OOI, Yuuki; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-257905 26.11.2012 JP
Titre (EN) SOI WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE SOI
(JA) SOIウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This SOI wafer manufacturing method is characterized in that: in a step for preparing a silicon wafer, a nitrogen-doped silicon wafer having an initial oxygen concentration of 7 ppma or less is prepared; and prior to an oxide film forming step, a step for heat-treating the silicon wafer thus prepared is performed under an argon atmosphere at a temperature of 1,170-1,300°C for 30-120 minutes. Consequently, an SOI wafer with almost no failure, i.e., defect or the like, can be manufactured in SOI wafer manufacture by sufficiently eliminating defects of a bond wafer, and furthermore, a peeled wafer generated as a by-product in an ion implantation peeling method can be re-used many times as the bond wafer.
(FR)Le présent procédé de fabrication de plaquette SOI est caractérisé : en ce que, dans une étape permettant de préparer une plaquette de silicium, une plaque de silicium dopée à l'azote ayant une concentration initiale d'oxygène inférieure ou égale à 7 ppma est préparée ; et en ce que, avant une étape de formation de pellicule d'oxyde, une étape permettant de traiter thermiquement la plaquette de silicium ainsi préparée est effectuée sous une atmosphère d'argon à une température comprise entre 1 170 et 1 300 °C pendant 30 à 120 minutes. Par conséquent, une plaquette de SOI avec presque aucune défaillance, c.-à-d. un défaut ou similaire, peut être fabriquée dans une fabrication de plaquette de SOI en éliminant suffisamment les défauts d'une plaquette de liaison, et en outre, une plaquette arrachée générée comme sous-produit dans un procédé d'arrachage d'implantation d'ions peut être réutilisée plusieurs fois comme plaquette de liaison.
(JA) 本発明は、SOIウェーハを製造する方法であって、シリコンウェーハを準備する工程において、初期酸素濃度が7ppma以下の窒素ドープシリコンウェーハを準備し、酸化膜形成工程の前に、準備したシリコンウェーハにアルゴン雰囲気下で1170℃~1300℃の温度で30分~120分間の熱処理を施す工程を行うことを特徴とするSOIウェーハの製造方法である。これにより、SOIウェーハの製造において、ボンドウェーハの欠陥を十分に消滅させて、欠陥等の不良のほとんどないSOIウェーハを製造することができ、また、イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハをボンドウェーハとして何度も再利用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)