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1. (WO2014080563) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080563    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/006072
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 11.10.2013
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : AGA, Hiroji; (JP).
ISHIZUKA, Toru; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-255719 21.11.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOI WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SOI
(JA) SOIウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a method for manufacturing a silicon-on-insulator (SOI) wafer by forming an oxide film on a bond wafer comprising a semiconductor monocrystalline substrate, forming an ion injection layer on the bond wafer by ion-injecting through the oxide film at least one type of gas ion from among hydrogen and noble gases, bonding the ion-injected surface of the bond wafer and the surface of a base wafer via the oxide film, and then peeling away the bond wafer using the ion injection layer thereby producing a SOI wafer, wherein the oxide film formed on the back of the bond wafer is thicker than the oxide film of the bonding surface. As a result of the foregoing, a method for manufacturing SOI wafers is provided that can suppress scratching and SOI film thickness abnormalities arising due to the warped shape, which occurs if the ion injection peeling method is used for peeling, of the bond wafer after peeling from the SOI wafer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche de silicium sur isolant (SOI) par formation d'un film d'oxyde sur une tranche de liaison comprenant un substrat monocristallin de semi-conducteur, formation d'une couche d'injection d'ions sur la tranche de liaison par injection d'ions à travers le film d'oxyde d'au moins un type d'ions gazeux parmi l'hydrogène et les gaz nobles, liaison de la surface ayant des ions injectés de la tranche de liaison et de la surface d'une tranche de base par l'intermédiaire du film d'oxyde, puis décollement de la tranche de liaison à l'aide de la couche d'injection d'ions ce qui produit une tranche SOI, le film d'oxyde formé sur l'arrière de la tranche de liaison étant plus épais que le film d'oxyde de la surface de liaison. En tant que résultat de l'invention, un procédé de fabrication de tranches SOI est décrit qui peut supprimer une rayure et des anormalités d'épaisseur de film SOI inhérentes en raison d'une forme déformée, qui se produit si le procédé de décollement d'injection d'ions est utilisé pour décollement de la tranche de liaison après décollement de la tranche SOI.
(JA) 本発明は、半導体単結晶基板からなるボンドウェーハに酸化膜を形成し、該酸化膜を通して水素および希ガスのうち少なくとも1種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハにイオン注入層を形成し、該ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハ表面とを前記酸化膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離することによりSOIウェーハを作製するSOIウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハに形成する酸化膜を、貼り合わせ面の酸化膜よりも背面の酸化膜を厚くするSOIウェーハの製造方法である。これにより、イオン注入剥離法により剥離した場合に生じるSOIウェーハと剥離後のボンドウェーハの反り形状に起因して発生するスクラッチやSOI膜厚異常を抑制することのできるSOIウェーハの製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)