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1. (WO2014078011) COMPOSITIONS ET PROCESSUS POUR UNE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES PASSIVÉES PAR L'ARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/078011    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/065626
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 18.10.2013
CIB :
H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : SUN CHEMICAL CORPORATION [US/US]; 35 Waterview Boulevard Parsippany, NJ 07054 (US)
Inventeurs : KREUTZ, Ted; (US).
HE, Jin-An; (US).
GARCIA, Joel; (US).
MOSTOWY-GALLAGHER, Maura; (US).
ROBINS, Graham; (US).
LIU, Monica; (US)
Mandataire : ACHKAR, Charles C.; Ostrolenk Faber LLP 1180 Avenue of the Americas New York, NY 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
61/726,223 14.11.2012 US
61/782,462 14.03.2013 US
Titre (EN) COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR FABRICATION OF REAR PASSIVATED SOLAR CELLS
(FR) COMPOSITIONS ET PROCESSUS POUR UNE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES PASSIVÉES PAR L'ARRIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)Compositions used in, and methods for, fabricating a rear-passivated silicon solar cell are described. A novel method of opening the back surface for contacting the silicon with a conventional aluminum paste is described. Various novel screen printable etch resists are described. First, such an etch resist can be printed on the rear of a rear-passivated solar cell wafer. The passivation layer can then be removed using a wet etch, and next the etch resist layer can be removed. Further, an additional wet etch step may optionally be used to deepen the opening into the silicon and enhance the BSF (back-surface field). Aluminum paste can then be printed over the entire backside of the now etched cell. The entire cell is then fired. In exemplary embodiments of the present invention, the paste can be chosen so that it will not fire through the passivation layer.
(FR)L'invention porte sur des compositions utilisées dans, et des procédés pour, la fabrication d'une cellule solaire de silicium passivée par l'arrière. Un nouveau procédé d'ouverture de la surface arrière pour mettre en contact le silicium avec une pâte d'aluminium conventionnelle est décrit. Diverses nouvelles réserves de gravure pouvant sérigraphiées sont décrites. Tout d'abord, une telle réserve de gravure peut être imprimée sur l'arrière d'une tranche de cellule solaire passivée par l'arrière. La couche de passivation peut ensuite être retirée en utilisant une gravure humide, et ensuite la couche de réserve de gravure peut être retirée. De plus, une étape de gravure humide supplémentaire peut être utilisée de manière facultative pour approfondir l'ouverture dans le silicium et améliorer le BSF (champ de surface arrière). Une pâte d'aluminium peut ensuite être imprimée sur le côté arrière entier de la cellule gravée actuellement. La cellule entière est ensuite chauffée. Selon des modes de réalisation à titre d'exemple de la présente invention, la pâte peut être choisie de telle sorte qu'elle ne chauffera pas à travers la couche de passivation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)