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1. (WO2014077523) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077523    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/009458
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 23.10.2013
CIB :
H01L 33/22 (2010.01), H05B 33/22 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Déposants : POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION [KR/KR]; (San31, Hyoja-dong) 77, Cheongam-ro, Nam-gu Pohang-si Gyeongsangbuk-do 790-784 (KR)
Inventeurs : KIM, Buem-joon; (KR).
LEE, Jong-lam; (KR).
SON, Jun-ho; (KR)
Mandataire : IAM PATENT FIRM; 501 Kiyoungplaza, 249-2 Seohyeon-dong Bundang-gu Seongnam-si Gyeonggi-do 463-824 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0128167 13.11.2012 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(KO) 발광 다이오드 소자의 제조방법 및 발광 다이오드 소자
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for manufacturing a light-emitting diode element that reduces the possibility of total internal reflection and increases optical extraction efficiency by forming an oxide film formed of a nano pattern in a gallium nitride-based light-emitting diode element or an organic light-emitting diode substrate by using self-aligned nano structures, and to a light-emitting diode element. The method for manufacturing a light-emitting diode element according to the present invention includes: (a) a step of applying nano structures onto a substrate; (b) a step of depositing an oxide film, which has a refractive index value smaller than a substrate refractive index, onto the substrate to which the nano structures are applied; and (c) a step of forming a nano-patterned oxide film on the substrate by removing the applied nano structures after the oxide film deposition. According to the present invention, self-aligned nano structures are applied onto a surface of the substrate, and the oxide film is deposited passing between the nano structures, and then the nano structures are removed to form the nano-scale oxide film on the surface of the substrate to form optical crystals. Thus, optical extraction efficiency can be improved.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de diode électroluminescente qui réduit la possibilité de réflexion interne totale et augmente un rendement d'extraction optique par formation d'un film d'oxyde formé d'un nano-motif dans un élément de diode électroluminescente à base de nitrure de gallium ou un substrat de diode électroluminescente organique par utilisation de nanostructures auto-alignées, et concerne un élément de diode électroluminescente. Le procédé de fabrication d'un élément de diode électroluminescente selon la présente invention comprend : (a) une étape d'application de nanostructures sur un substrat ; (b) une étape de dépôt d'un film d'oxyde, qui possède une valeur d'indice de réfraction inférieure à un indice de réfraction de substrat, sur le substrat sur lequel les nanostructures sont appliquées ; et (c) une étape de formation d'un film d'oxyde à nano-motifs sur le substrat par retrait des nanostructures appliquées après le dépôt de film d'oxyde. Selon la présente invention, des nanostructures auto-alignées sont appliquées sur une surface du substrat, et le film d'oxyde est déposé de manière à passer entre les nanostructures, et les nanostructures sont ensuite retirées pour former le film d'oxyde à nano-échelle sur la surface du substrat pour former des cristaux optiques. Ainsi, un rendement d'extraction optique peut être amélioré.
(KO)본 발명은 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 또는 유기 발광 다이오드 소자의 기판에 자가 정렬 나노 구조체를 이용하여 나노 패턴으로 이루어지는 산화막을 형성토록 함으로써 내부에서 전반사의 가능성을 줄이고, 그에 따른 광추출 효율을 높일 수 있도록 한 발광 다이오드 소자의 제조방법 및 발광 다이오드 소자에 관한 것이다. 이에 따른 발광 다이오드 소자 제조방법은, (a) 기판상에 나노 구조체를 도포하는 단계; (b) 나노 구조체가 도포된 기판상에 기판 굴절률보다 작은 굴절률 값을 갖는 산화막을 증착하는 단계; (c) 산화막 증착 후 도포된 나노 구조체를 제거하여 기판에 나노 패터닝된 산화막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다. 이에 따르면, 기판 표면에 자가 정렬 나노 구조체를 도포하고, 나노 구조체들 사이를 통해 산화막을 증착한 후 나노 구조체를 제거하는 방법으로 기판 표면에 나노 크기의 산화막이 패턴으로 형성되어 광결정을 이루도록 함으로써 광추출 효율을 향상시키는 효과가 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)