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1. (WO2014077368) SUBSTRAT DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077368    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080935
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 15.11.2013
CIB :
C30B 29/36 (2006.01)
Déposants : NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008071 (JP)
Inventeurs : SATO, Shinya; (JP).
FUJIMOTO, Tatsuo; (JP).
TSUGE, Hiroshi; (JP).
KATSUNO, Masakazu; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-251038 15.11.2012 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 炭化珪素単結晶基板およびその製法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a silicon carbide single crystal substrate which is cut out from a silicon carbide bulk single crystal grown by the sublimation-recrystallization method; and a process for producing the same. The number of screw dislocations in one of the semicircle areas of the substrate is smaller than that in the other thereof, namely, the number of screw dislocations in a given area of the substrate is reduced. The semicircle areas of the substrate correspond respectively to the halves of the substrate. The present invention pertains to: a silicon carbide single crystal substrate which is cut out from a silicon carbide bulk single crystal grown by the sublimation-recrystallization method and which is characterized in that the average value of the screw-dislocation densities observed at multiple measurement points in one of the semicircle areas, which correspond respectively to the halves of the substrate, is 80% or less of the average value of screw-dislocation densities observed at multiple measurement points in the other of the semicircle areas; and a process for producing the same.
(FR)L'invention concerne un substrat de monocristal de carbure de silicium qui est découpé à partir d'un monocristal brut de carbure de silicium mis à croître par la méthode de sublimation-recristallisation ; et un procédé de production de celui-ci. Le nombre de dislocations de vis dans l'une des zones de demi-cercle du substrat est plus petit que dans l'autre, à savoir le nombre de dislocations de vis dans une zone du substrat est réduit. Les zones de demi-cercle du substrat correspondent respectivement aux moitiés de substrat. La présente invention vise : un substrat de monocristal de carbure de silicium qui est découpé à partir d'un monocristal brut de carbure de silicium mis à croître par la méthode de sublimation-recristallisation et qui est caractérisé en ce que la valeur moyenne des densités de dislocation de vis observées en de multiples points de mesure dans l'une des zones de demi-cercle, qui correspondent respectivement aux moitiés du substrat, est de 80 % ou moins de la valeur moyenne des densités de dislocation de vis observées en de multiples points de mesure dans les autres des zones de demi-cercle ; et un procédé de production de celui-ci.
(JA)昇華再結晶法で成長させたバルクの炭化珪素単結晶から切り出された基板であって、基板を半分にするある片側の半円領域内で発生したらせん転位が、残りの半円領域で発生したらせん転位に比べて少なく、部分的にらせん転位が低減された炭化珪素単結晶基板およびその製法を提供する。 昇華再結晶法で成長させたバルクの炭化珪素単結晶から切り出された炭化珪素単結晶基板であって、該基板を半分にする片側の半円領域内の複数の測定点で観察されるらせん転位密度の平均値が、残りの半円領域内の複数の測定点で観察されるらせん転位密度の平均値の80%以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶基板およびその製法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)