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1. (WO2014077239) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077239    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080524
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 12.11.2013
CIB :
H03H 9/25 (2006.01), H01L 23/02 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : HIRA, Mitsuyoshi; (JP).
TSUDA, Motoji; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-249157 13.11.2012 JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an acoustic wave device having excellent pressure resistance. An acoustic wave device (1) is provided with a piezoelectric substrate (10), an IDT electrode (11), and a cover member (15). The IDT electrode (11) is provided on the piezoelectric substrate (10). The cover member (15) is provided above the piezoelectric substrate (10) and set apart from the IDT el ectrode (11). The cover member (15) has a first cover member (15a) and a second cover member (15b). The second cover member (15b) is layered on a side of the first cover member (15a) opposite to the piezoelectric substrate (10). The glass transition point of the first cover member (15a) is higher than that of the second cover member (15b).
(FR)L'invention fournit un dispositif à ondes élastiques doté d'une excellente résistance à la pression. Ce dispositif à ondes élastiques (1) est équipé d'un substrat piézoélectrique (10), d'une électrode de transducteur interdigital (11) et d'un élément couvercle (15). L'électrode de transducteur interdigital (11) est agencée sur le substrat piézoélectrique (10). L'élément couvercle (15) est agencé séparément par rapport à l'électrode de transducteur interdigital (11), sur le substrat piézoélectrique (10), et possède un premier élément couvercle (15a) et un second élément couvercle (15b). Le second élément couvercle (15b) est stratifié sur le premier élément couvercle (15a) côté opposé au substrat piézoélectrique (10). Le point de transition vitreuse du premier élément couvercle (15a) est supérieur à celui du second élément couvercle (15b).
(JA) 耐圧性に優れた弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、圧電基板10と、IDT電極11と、カバー部材15とを備える。IDT電極11は、圧電基板10の上に設けられている。カバー部材15は、圧電基板10の上方に、IDT電極11とは離間して設けられている。カバー部材15は、第1のカバー部材15aと、第2のカバー部材15bとを有する。第2のカバー部材15bは、第1のカバー部材15aの圧電基板10とは反対側に積層されている。第1のカバー部材15aのガラス転移点が第2のカバー部材15bのガラス転移点よりも高い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)