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1. (WO2014077124) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MASQUE DE FORMATION DE FILM ET MASQUE DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077124    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/079304
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 29.10.2013
CIB :
C23C 14/04 (2006.01)
Déposants : V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005 (JP)
Inventeurs : MIZUMURA, Michinobu; (JP)
Mandataire : SASAJIMA, Fujio; 7th Floor, Akasaka Eight One Building, 13-5, Nagata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-250972 15.11.2012 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR FILM FORMATION MASK AND FILM FORMATION MASK
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MASQUE DE FORMATION DE FILM ET MASQUE DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a production method for a film formation mask comprising: a step for forming a mask member in which a resin film is brought into close contact with a magnetic metal member comprising a plurality of thin film patterns on a substrate and a plurality of first and second through holes that are provided to positions corresponding to a plurality of alignment marks on the substrate side; a step for stretching the mask member on one end surface of a frame and joining the peripheral edge of the magnetic metal member to one end surface of the frame; and a step for irradiating a film section within the first through holes with laser light in order to form an opening pattern having the same shape and dimensions as the thin film patterns and irradiating the film section within the second through holes with laser light in order to form mask-side alignment marks.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de production d'un masque de formation de film et masque de formation de film, ledit procédé comprenant : une étape consistant à former un élément de masque, un film de résine étant mis en contact étroit avec un élément métallique magnétique qui comprend une pluralité de motifs de film mince sur un substrat et une pluralité de premiers et seconds trous traversants qui sont réalisés à des positions qui correspondent à une pluralité de marques d'alignement côté substrat ; une étape consistant à étirer l'élément de masque sur une surface d'extrémité d'un cadre et à unir le bord périphérique de l'élément métallique magnétique à une surface d'extrémité du cadre ; et une étape consistant à éclairer une section de film dans les premiers trous traversants avec une lumière laser afin de former une configuration d'ouverture qui présente la même forme et les mêmes dimensions que celles des motifs de film mince et à éclairer la section de fil dans les seconds trous traversants avec une lumière laser afin de former des marques d'alignement côté masque.
(JA) 本発明は、基板上の複数の薄膜パターン及び複数の基板側アライメントマークに対応した位置に複数の第1及び第2貫通孔を設けた磁性金属部材と樹脂製のフィルムとを密接させたマスク用部材を形成するステップと、枠状のフレームの一端面に前記マスク用部材を張架して、該フレームの一端面に前記磁性金属部材の周縁部を接合するステップと、前記第1貫通孔内のフィルム部分にレーザ光を照射して薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成すると共に、前記第2貫通穴内の前記フィルム部分にレーザ光を照射してマスク側アライメントマークを形成するステップと、を行なう。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)