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1. (WO2014076945) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SEMI-CONDUCTEUR, TRANCHE ÉPITAXIALE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/076945    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/006661
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 12.11.2013
CIB :
H01L 21/322 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventeurs : KADONO, Takeshi; (JP).
KURITA, Kazunari; (JP)
Mandataire : SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West, 3-2-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-249598 13.11.2012 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER, SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER, AND PRODUCTION METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SEMI-CONDUCTEUR, TRANCHE ÉPITAXIALE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In order to provide a production method for a semiconductor epitaxial wafer in which gettering properties are increased and the haze level of an epitaxial layer surface is reduced, the production method for a semiconductor epitaxial wafer according to the present invention is characterized in that the method includes: a first step, in which cluster ions (16) are irradiated on a semiconductor wafer (10) to form a modifying layer (18), which comprises constituent elements of the cluster ions (16), on a semiconductor wafer surface (10A); a second step that is subsequent to the first step, and in which the semiconductor wafer (10) is subjected to a heat treatment for crystal recovery such that the haze level of the semiconductor wafer surface (10A) reaches or drops below 0.20ppm; and a third step that is subsequent to the second step, and in which an epitaxial layer (20) is formed upon the modifying layer (18) of the semiconductor wafer.
(FR)Selon l'invention, afin de fournir un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de semi-conducteur dans laquelle des propriétés de fixation sont augmentées et le niveau de brume d'une surface de couche épitaxiale est réduit, le procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de semi-conducteur selon la présente invention est caractérisé en ce que le procédé comprend : une première étape, dans laquelle des ions en amas (16) sont irradiés sur une tranche de semi-conducteur (10) pour former une couche de modification (18), qui comprend des éléments constituants des ions en amas (16), sur une surface de tranche de semi-conducteur (10A) ; une deuxième étape qui suit la première étape, et dans laquelle la tranche de semi-conducteur (10) est soumise à un traitement thermique pour récupération cristalline de telle sorte que le niveau de brume de la surface de tranche de semi-conducteur (10A) atteint ou chute au-dessous de 0,20 ppm ; et une troisième étape qui suit la deuxième étape, et dans laquelle une couche épitaxiale (20) est formée sur la couche de modification (18) de la tranche de semi-conducteur.
(JA) より高いゲッタリング能力を有し、かつ、エピタキシャル層表面のヘイズレベルが低減した半導体エピタキシャルウェーハを製造する方法を提供することを目的とする。 本発明の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法は、半導体ウェーハ10にクラスターイオン16を照射して、半導体ウェーハの表面10Aに、クラスターイオン16の構成元素からなる改質層18を形成する第1工程と、該第1工程の後、半導体ウェーハ表面10Aのヘイズレベルが0.20ppm以下となるように、結晶性回復のための熱処理を半導体ウェーハ10に対して行なう第2工程と、該第2工程の後、半導体ウェーハの改質層18上にエピタキシャル層20を形成する第3工程と、を有することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)