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1. (WO2014076869) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/076869    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/005926
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 04.10.2013
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : HAYAKAWA, Yukio; .
MIKAWA, Takumi;
Mandataire : NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-250456 14.11.2012 JP
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 不揮発性記憶素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A variable resistance layer (106) interposed between a first electrode (105) and a second electrode (107) has a first variable resistance layer (106a) in contact with the first electrode (105), and a second variable resistance layer (106b) which is in contact with the second electrode (107) and has an oxygen deficiency less than that of the first variable resistance layer (106a). The principal surface of the first variable resistance layer (106a) nearer the second variable resistance layer (106b) is flat. The second variable resistance layer (106b) is in contact with both the first variable resistance layer (106a) and the second electrode (107) in a polygonal region (160) having a vertex (170) located within the outline of the variable resistance layer (106) and a plurality of vertices (171) located on the outline when viewed along a direction perpendicular to the principal surface of the variable resistance layer (106), and is not in contact with either the first variable resistance layer (106a) or the second electrode (107) in the region outside of the region within the polygon.
(FR)Selon l'invention, une couche de variation de résistance (106) intercalée entre une première électrode (105) et une seconde électrode (107), possède : une première couche de variation de résistance (106a) en contact avec la première électrode (105) ; et une seconde couche de variation de résistance (106b) en contact avec la seconde électrode (107), et dont l'insuffisance en oxygène est moindre par rapport à celle de la première couche de variation de résistance (106a). La face principale proche de la seconde couche de variation de résistance (106b) de la première couche de variation de résistance (106a), est plane. La seconde couche de variation de résistance (106b) est en contact à la fois avec la première couche de variation de résistance (106a) et la seconde électrode (107), dans une région (160) d'une forme polygonale qui possède un sommet (170) positionné dans la partie interne du contour de la couche de variation de résistance (106), et une pluralité de sommets (171) sur son contour selon une vue dans une direction perpendiculaire à la face principale de la couche de variation de résistance (106). Cependant, la seconde couche de variation de résistance (106b) n'est pas en contact avec la première couche de variation de résistance (106a) et/ou la seconde électrode (107), dans une région en dehors de ladite région de partie interne de ladite forme polygonale.
(JA) 第1電極(105)と第2電極(107)との間に介在する抵抗変化層(106)は、第1電極(105)に接する第1の抵抗変化層(106a)と、第2電極(107)に接して酸素不足度が第1の抵抗変化層(106a)よりも小さい第2の抵抗変化層(106b)とを有し、第1の抵抗変化層(106a)の第2の抵抗変化層(106b)に近い主面は平坦であり、第2の抵抗変化層(106b)は、抵抗変化層(106)の主面に垂直な方向に見て抵抗変化層(106)の輪郭の内部に位置する頂点(170)と輪郭上に位置する複数の頂点(171)とを有する多角形の領域(160)において第1の抵抗変化層(106a)及び第2電極(107)の双方と接し、かつ前記多角形の前記内部領域外の領域において第1の抵抗変化層(106a)及び第2電極(107)の少なくとも一方と接していない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)