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1. (WO2014075559) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ EN CUIVRE ÉPAISSE À COUCHES MULTIPLES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ EN CUIVRE ÉPAISSE À DEUX FACES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/075559    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/086345
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 31.10.2013
CIB :
H05K 3/46 (2006.01)
Déposants : PEKING UNIVERSITY FOUNDER GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 5 Floor, Zhongguancun Founder Building, No.298 Chengfu Road, Haidian Beijing 100871 (CN).
ZHUHAI FOUNDER TECH. MULTILAYER PCB CO., LTD [CN/CN]; NO.107, Baishi Road, Qianshan, Xiangzhou District Zhuhai, Guangdong 519070 (CN).
ZHUHAI FOUNDER PCB DEVELOPMENT CO., LTD. [CN/CN]; Founder PCB Industry Park, Fushan Industry Zone, Qianwu, Doumen District Zhuhai, Guangdong 519175 (CN)
Inventeurs : SHI, Shuhan; (CN).
CHEN, Zhengqing; (CN)
Mandataire : TDIP & PARTNERS; Room 1304-05, A Zhizhen Building No. 7 Zhichun Road, Haidian District Beijing 100191 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210454195.8 13.11.2012 CN
Titre (EN) MULTI-LAYER THICK COPPER CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD AND DUAL-SIDE THICK COPPER CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ EN CUIVRE ÉPAISSE À COUCHES MULTIPLES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ EN CUIVRE ÉPAISSE À DEUX FACES
(ZH) 多层厚铜电路板的制作方法及双面厚铜电路板的制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a multi-layer thick copper circuit board manufacturing method and dual-side thick copper circuit board manufacturing method. The multi-layer thick copper circuit board manufacturing method comprises: laminating each two thick copper plates of N thick copper plates by using a peelable adhesive film, to form N/2 thick copper plate groups; performing first dual-side etching on each of the thick copper plate groups, the depth of the first dual-side etching being less than the thickness of each thick copper plate of the thick copper plate group; performing, by using laminating adhesive films, first laminating on the thick copper plate groups after the first dual-side etching, so that two thick copper plates of the thick copper plate group are separated, the adjacent two thick copper plates of the thick copper plate groups form (N/2 - 1) inner plates, and the two separate thick copper plates form outer copper layers respectively; performing second dual-side etching on each inner plate, the depth of the second dual-side etching being equal to the thickness of each thick copper plate minus the depth of the first dual-side etching; performing second laminating, by using laminating adhesive films, second laminating on the inner plates and the outer copper layers after the second dual-side etching; and performing third dual-side etching on the outer copper layers.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de carte de circuit imprimé en cuivre épaisse à couches multiples et un procédé de fabrication de carte de circuit imprimé en cuivre épaisse à deux faces. Le procédé de fabrication de carte de circuit imprimé en cuivre épaisse à couches multiples comprend : la stratification de chaque paire de plaques en cuivre épaisses parmi N plaques en cuivre épaisses en utilisant un film adhésif décollable, pour former N/2 groupes de plaques en cuivre épaisses ; la réalisation d'une première gravure sur deux faces sur chacun des groupes de plaques en cuivre épaisses, la profondeur de la première gravure sur deux faces étant inférieure à l'épaisseur de chaque plaque en cuivre épaisse du groupe de plaques en cuivre épaisses ; la réalisation, en utilisant des films adhésifs de stratification, d'une première stratification sur les groupes de plaques en cuivre épaisses après la première gravure sur deux faces, pour que deux plaques en cuivre épaisses du groupe de plaques en cuivre épaisses soient séparées, les deux plaques en cuivre épaisses adjacentes des groupes de plaques en cuivre épaisses formant (N/2 - 1) plaques intérieures, et les deux plaques en cuivre épaisses séparées formant des couches de cuivre extérieures respectivement ; la réalisation d'une deuxième gravure sur deux faces sur chaque plaque intérieure, la profondeur de la deuxième gravure sur deux faces étant égale à l'épaisseur de chaque plaque en cuivre épaisse moins la profondeur de la première gravure sur deux faces ; la réalisation d'une seconde stratification, en utilisant des films adhésifs de stratification, sur les plaques intérieures et les couches de cuivre extérieures après la deuxième gravure sur deux faces ; et la réalisation d'une troisième gravure sur deux faces sur les couches de cuivre extérieures.
(ZH)提供了一种多层厚铜电路板的制作方法及双面厚铜电路板的制作方法,多层厚铜电路板的制作方法包括:将N层厚铜板中每两层厚铜板用可剥离黏结片压合形成N/2个厚铜板组;对厚铜板组中每个厚铜板组进行第一次双面蚀刻,第一次双面蚀刻深度小于厚铜板组的各层厚铜板厚度;将第一次双面蚀刻后的厚铜板组利用压合黏结片进行第一次压合,厚铜板组的两层厚铜板分离,厚铜板组中相邻两层厚铜板形成N/2减1个内层板,单独的两层厚铜板分别形成外层铜;对每个内层板进行第二次双面蚀刻,第二次双面蚀刻的深度等于各层厚铜板的厚度减去第一次双面蚀刻的深度;将第二次双面蚀刻后的内层板、外层铜利用压合黏结片进行第二次压合;对外层铜进行第三次双面蚀刻。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)