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1. (WO2014061328) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE SURFACE D'EXTRÉMITÉ POUR RÉSONATEUR OPTIQUE D'ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III, ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE RAINURE D'ÉCRITURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061328    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/070050
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 24.07.2013
CIB :
H01S 5/343 (2006.01), G01B 11/26 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : TAKAGI Shimpei; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-228933 16.10.2012 JP
Titre (EN) GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, METHOD FOR EVALUATING END SURFACE FOR OPTICAL RESONATOR OF GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND METHOD FOR EVALUATING SCRIBE GROOVE
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE SURFACE D'EXTRÉMITÉ POUR RÉSONATEUR OPTIQUE D'ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III, ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE RAINURE D'ÉCRITURE
(JA) III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を評価する方法、スクライブ溝を評価する方法
Abrégé : front page image
(EN)A group-III nitride semiconductor laser having a laser resonator that enables a reduction in disturbance due to return light on a semipolar surface of a substrate in which the c-axis of a group-III nitride is inclined in the direction of an m-axis, wherein when the angle (ALPHA) is in the range of 71-79 degrees inclusive, the angle (α1) is in the range of 10-25 degrees inclusive, and the angle (β1) is in the range of 0-5 degrees inclusive. At a first end surface in the vicinity of a first surface closer to an epi-surface, the angle formed by a first normal vector (ENV1) and a c+ axis vector (VC+) within an m-n plane has a value close to the angle (α1) (for example, in the range of 10-25 degrees inclusive). At the first end surface in the vicinity of the back surface of the substrate, the angle formed by a second normal vector (ENV2) and the c+ axis vector (VC+) within the m-n plane has a value close to the angle (β1) (for example, in the range of 0-5 degrees inclusive).
(FR)L'invention concerne un laser à semi-conducteur au nitrure du groupe III ayant un résonateur laser qui permet une réduction de perturbation due à une lumière de retour sur une surface semi-polaire d'un substrat dans lequel l'axe c d'un nitrure du groupe III est incliné dans la direction d'un axe m, dans lequel lorsque l'angle (ALPHA) est dans la plage de 71 à 79 degrés inclus, l'angle (α1) est dans la plage de 10 à 25 degrés inclus, et l'angle (β1) est dans la plage de 0 à 5 degrés inclus. Sur une première surface d'extrémité au voisinage d'une première surface plus proche d'une épi-surface, l'angle formé par un premier vecteur normal (ENV1) et un vecteur d'axe c+ (VC+) dans un plan m-n possède une valeur proche de l'angle (α1) (par exemple, dans la plage de 10 à 25 degrés inclus). Sur la première surface d'extrémité au voisinage de la surface arrière du substrat, l'angle formé par un second vecteur normal (ENV2) et le vecteur d'axe c+ (VC+) dans le plan m-n possède une valeur proche de l'angle (β1) (par exemple, dans la plage de 0 à 5 degrés inclus).
(JA)III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した基板の半極性面上において戻り光による撹乱の低減を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザでは、角度ALPHAが71度以上79度以下の範囲であるときには、角度α1は10度以上25度以下の範囲であり、角度β1は0度以上5度以下の範囲である。エピ面に近い第1面付近の第1端面では、m-n面内において第1法線ベクトルENV1とc+軸ベクトルVC+との成す角度は、角度α1に近い値(例えば10度以上25度以下の範囲)を有する。基板裏面付近の第1端面では、m-n面内において第2法線ベクトルENV2とc+軸ベクトルVC+との成す角度は、角度β1に近い値(例えば0度以上5度以下の範囲)を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)