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1. (WO2014060327) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT ÉLECTRONIQUE SOUS LA FORME D'UN EMPILAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/060327    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/071375
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 14.10.2013
CIB :
H01L 41/047 (2006.01), H01L 41/083 (2006.01), H01L 41/273 (2013.01), H01L 41/293 (2013.01), H01L 41/297 (2013.01)
Déposants : CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH [DE/DE]; Vahrenwalder Straße 9 30165 Hannover (DE)
Inventeurs : RICHTER, Thomas; (DE).
ZUMSTRULL, Claus; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 218 755.3 15.10.2012 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS ALS STAPEL
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC STRUCTURAL ELEMENT AS A STACK
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT ÉLECTRONIQUE SOUS LA FORME D'UN EMPILAGE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements als Stapel (1), das aus einer Mehrzahl von auf Anlegen eines elektrischen Feldes reagierenden Werkstoffschichten (2) und einer Mehrzahl von ersten und zweiten Elektrodenschichten (3, 4) gebildet ist, wobei jede Werkstoffschicht (2) alternierend zwischen zwei der Elektroden- schichten (3, 4) angeordnet ist. Auf zumindest einen Stapelumfangsbereich (5, 6) werden zumindest eine erste und eine zweite Kontaktierungsstruktur (13, 14) aufgebracht, so dass durch die erste Kontaktierungsstruktur (13) jede erste Elektrodenschicht (3) und durch die zweite Kontaktierungsstruktur (14) jede zweite Elektrodenschicht (4) elektrisch kontaktiert sind. Zunächst wird ein Stapel (1) erzeugt, bei dem die ersten Elektrodenschichten (3) über den zumindest einen Stapelumfangsbereich (5, 6) hinausstehen und die zweiten Elektrodenschichten (4) innerhalb der Werkstoffschichten (2) beabstandet zu dem zumindest einen Stapelumfangsbereich (5, 6) zum Liegen kommen. Anschließend wird die erste Kontaktierungsstruktur (13) direkt auf den zumindest einen Stapelumfangsbereich (5, 6) aufgebracht, wobei die aus dem zumindest einen Stapelumfangsbereich (5, 6) herausstehenden ersten Elektrodenschichten (3) elektrisch leitend in die erste Kontaktierungsstruktur (13) eingebettet werden. Sodann wird die zweite Kontaktierungsstruktur (14) erzeugt wird,indem auf dem zumindest einen Stapelumfangsbereich (5, 6) die ersten und zweiten Elektrodenschichten (3, 4) freigelegt werden, weiter eine lösemittelfreie Isolationsstruktur (15) durch ein additives Verfahren erzeugt wird, welche die ersten Elektrodenschichten (3) elektrisch von dem zumindest einen Stapelumfangsbereich (5, 6) isoliert, und zuletzt elektrisch leitfähiges Material zur Ausbildung der zweiten Kontaktierungsstruktur (14) auf den vorbereiteten Stapelumfangsbereich (5, 6) aufgebracht wird.
(EN)The invention relates to a method for producing an electronic structural element as a stack (1), formed from a plurality of material layers (2) that react to the application of an electric field, and a plurality of first and second electrode layers (3, 4), each material layer (2) being arranged alternately between two of the electrode layers (3, 4). At least one first and one second contacting structure (13, 14) are applied to at least one stack peripheral region (5, 6) such that each first electrode layer (3) is electrically contacted via the first contacting structure (13) and each second electrode layer (4) is electrically contacted via the second contacting structure (14). In a first step, a stack (1) is produced in which the first electrode layers (3) protrude beyond the at least one stack peripheral region (5, 6), and the second electrode layers (4) come to lie, within said material layers (2), at a distance from the at least one stack peripheral region (5, 6). The first contacting structure (13) is then directly applied to the at least one stack peripheral region (5, 6), said first electrode layers (3) that protrude out of the at least one stack peripheral region (5, 6) being electrically-conductively embedded into the first contacting structure (13). Following this, the second contacting structure (14) is produced by virtue of the first and second electrode layers (3, 4) being exposed on the at least one stack peripheral region (5, 6), before a solvent-free insulation structure (15) is produced by means of an additive method which electrically insulates the first electrode layers (3) from the at least one stack peripheral region (5, 6). In a final step, electrically-conductive material is applied to the prepared stack peripheral region (5, 6) in order to form the second contacting structure (14).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique sous la forme d'un empilage (1) constitué d'une pluralité de couches de matériau (2) réagissant à l'application d'un champ électrique et d'une pluralité de premières et deuxièmes couches d'électrodes (3, 4), chaque couche de matériau (2) étant disposée en alternance entre deux des couches d'électrodes (3, 4). Au moins une première et une deuxième structure de connexion électrique (13, 14) est déposée sur au moins une zone périphérique (5, 6) de l'empilage de telle façon que la première structure de connexion électrique (13) établit une connexion électrique avec chaque première couche d'électrodes (3) et la deuxième structure de connexion électrique (14) établit une connexion électrique avec chaque deuxième couche d'électrodes (4). En premier lieu, on réalise un empilage (1) dans lequel les premières couches d'électrodes (3) dépassent de la ou des zones périphériques (5, 6) de l'empilage et les deuxièmes couches d'électrodes (4) viennent en appui à l'intérieur des couches de matériau (2) à distance de la ou des zones périphériques (5, 6) de l'empilage. Ensuite on dépose la première structure de connexion électrique (13) directement sur la ou les zones périphériques (5, 6) de l'empilage, les premières couches d'électrodes (3) qui dépassent de la ou des zones périphériques (5, 6) de l'empilage étant noyées de manière électriquement conductrice dans la première structure de connexion électrique (13). Ensuite, on réalise la deuxième structure de connexion électrique (14) en dégageant les premières et deuxièmes couches d'électrodes (3, 4) sur la ou les zones périphériques (5, 6) de l'empilage puis, par un procédé additif sans solvant, on crée une structure isolante (15) qui isole électriquement les premières couches d'électrodes (3) de la ou des zones périphériques (5, 6) de l'empilage et, pour finir, on dépose un matériau électriquement conducteur pour former la deuxième structure de connexion électrique (14) sur la zone périphérique (5, 6) préparée de l'empilage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)