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1. (WO2014030516) SUBSTRAT D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE AINSI QUE PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ ET ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTANT UNE LUMIÈRE ROUGE AINSI QUE PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/030516    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/070903
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 01.08.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.05.2014    
CIB :
H01L 33/16 (2010.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP)
Inventeurs : FUJIWARA, Yasufumi; (JP).
KOIZUMI, Atsushi; (JP).
TERAI, Yoshikazu; (JP)
Mandataire : JODAI, Tetsuji; 2/F Shin-Yamamoto Bldg., 1-1-25, Dojima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-184347 23.08.2012 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND RED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) SUBSTRAT D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE AINSI QUE PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ ET ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTANT UNE LUMIÈRE ROUGE AINSI QUE PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 窒化物半導体素子用基板とその製造方法、および赤色発光半導体素子とその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a technique which enables the provision of a nitride semiconductor element substrate having a desired index surface and a nitride semiconductor element readily at low cost and also enables the provision of a red light-emitting semiconductor element having high luminous intensity (optical output) at low cost. Methods for producing a nitride semiconductor element substrate and a red color-emitting semiconductor, each of said methods comprising a mask formation step, a three-dimensional structure growth step and an active layer growth step, wherein the mask formation step comprises forming a mask having a desired shape on a base material comprising a metal nitride, the three-dimensional structure growth step comprises growing a three-dimensional structure made from the same material as that for the base material on the base material, on which the mask has been formed, employing a selective growth method in such a manner that a layer having a higher index surface than that of the base material can be formed on a side surface of the three-dimensional structure, and the active layer growth step comprises growing an active layer, to which a rare earth element has been added so that a metal element in the metal nitride can be substituted by the rare earth element, on the side surface of the three-dimensional structure employing a metal organic vapor-phase epitaxy method, and wherein the conditions for the growth of the active layer are controlled so as to grow an active layer having a desired high index surface in the active layer growth step.
(FR)La présente invention concerne une technique permettant la réalisation facile d'un substrat d'élément à semi-conducteurs au nitrure ayant une surface d'indice souhaité et un élément à semi-conducteurs au nitrure à faible coût ainsi que la réalisation d'un élément à semi-conducteurs émettant une lumière rouge ayant une haute intensité lumineuse (sortie optique) à un faible coût. L'invention concerne des procédés de production d'un substrat d'élément à semi-conducteurs au nitrure et d'un semi-conducteur émettant une couleur rouge, chacun desdits procédés faisant appel à une étape de formation de masque, à une étape de croissance de structure tridimensionnelle et à une étape de croissance de couche active. Selon l'invention, l'étape de formation de masque fait appel à la formation d'un masque ayant une forme souhaitée sur un matériau de base comprenant un nitrure métallique, l'étape de croissance de structure tridimensionnelle fait appel à une croissance, sur le matériau de base, d'une structure tridimensionnelle réalisée dans le même matériau que le matériau de base sur lequel le masque a été formé en employant un procédé de croissance sélectif faisant qu'une couche ayant une surface d'indice plus élevé que celui du matériau de base peut être formée sur une surface latérale de la structure tridimensionnelle, et l'étape de croissance de couche active fait appel à la croissance d'une couche active à laquelle un élément de terres rares a été ajouté de façon à pouvoir substituer un élément métallique du nitrure métallique par l'élément de terres rares, sur la surface latérale de la structure bidimensionnelle en employant un procédé d'épitaxie organique en phase vapeur, les conditions de la croissance de la couche active étant maîtrisées de façon à obtenir une croissance d'une couche active ayant une surface d'indice élevé souhaité pendant l'étape de croissance de la couche active.
(JA) 所望の指数面を有する窒化物半導体素子用基板および窒化物半導体素子を容易かつ安価に提供することができ、また、高い発光強度(光出力)を備えた赤色発光半導体素子を安価に提供することができる技術を提供する。 金属窒化物を母材として、母材上に所定の形状のマスクを形成するマスク形成工程と、マスクが形成された母材上に、選択成長法を用いて、母材よりも高指数面の層が側面に形成されるように、母材と同じ材質の立体構造を成長させる立体構造成長工程と、立体構造の側面上に、有機金属気相エピタキシャル法を用いて、希土類元素が金属窒化物の金属元素と置換するように添加された活性層を成長させる活性層成長工程とを備えており、活性層成長工程において、活性層の成長条件を制御することにより、所望する高指数面の活性層を成長させる窒化物半導体素子用基板および赤色発光半導体の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)