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1. WO2014024546 - APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET GÉNÉRATEUR HAUTE FRÉQUENCE

Numéro de publication WO/2014/024546
Date de publication 13.02.2014
N° de la demande internationale PCT/JP2013/064876
Date du dépôt international 29.05.2013
CIB
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H03H 7/38 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
38Réseaux d'adaptation d'impédance
CPC
H01J 2237/327
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
327Arrangements for generating the plasma
H01J 2237/3321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
332Coating
3321CVD [Chemical Vapor Deposition]
H01J 2237/334
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
334Etching
H01J 37/3211
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
H01J 37/32119
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
32119Windows
H01J 37/32128
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32128using particular waveforms, e.g. polarised waves
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 金子 和史 KANEKO, Kazushi
  • 舩▲崎▼ 一憲 FUNAZAKI, Kazunori
  • 加藤 秀生 KATO, Hideo
Mandataires
  • 特許業務法人アイミー国際特許事務所 IMY INTERNATIONAL PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
2012-17666809.08.2012JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND HIGH FREQUENCY GENERATOR
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET GÉNÉRATEUR HAUTE FRÉQUENCE
(JA) プラズマ処理装置、および高周波発生器
Abrégé
(EN)
This plasma processing apparatus is provided with: a processing container in which processing is performed using plasma; and a plasma generating mechanism, which includes a high frequency generator disposed outside of the processing container, said high frequency generator generating high frequency, and which generates plasma in the processing container using the high frequency generated by means of the high frequency generator. The high frequency generator includes: a high frequency oscillator that oscillates high frequency; a power supply section that supplies power to the high frequency oscillator; a waveguide that propagates the high frequency to the processing container side, i.e., the load side, said frequency having been oscillated by means of the high frequency oscillator; and a voltage standing wave ratio variable mechanism (61) that varies, corresponding to the power supplied from the power supply unit, the voltage standing wave ratio of voltage standing waves formed in the waveguide by means of the high frequency.
(FR)
La présente invention concerne un appareil de traitement par plasma, comprenant : une cuve de traitement dans laquelle est exécuté un traitement par plasma ; et un mécanisme de génération de plasma comprenant un générateur de hautes fréquences disposé à l'extérieur de la cuve de traitement, ledit générateur de hautes fréquences générant des hautes fréquences. Ledit mécanisme de génération de plasma génère un plasma dans la cuve de traitement au moyen des hautes fréquences générées par le générateur de hautes fréquences. Le générateur de hautes fréquences comprend : un oscillateur de hautes fréquences qui oscille les hautes fréquences ; une section d'alimentation électrique qui alimente l'oscillateur de hautes fréquences ; un guide d'onde qui propage les hautes fréquences vers la cuve de traitement, c'est-à-dire vers la charge, lesdites fréquences ayant été oscillées par l'oscillateur de hautes fréquences ; et un mécanisme de variation de rapport d'onde stationnaire en tension (61) qui fait varier, en fonction de l'énergie fournie par l'unité d'alimentation électrique, le rapport d'onde stationnaire en tension des ondes stationnaires formées dans le guide d'ondes par les hautes fréquences.
(JA)
 プラズマ処理装置は、その内部でプラズマによる処理を行う処理容器と、処理容器外に配置されて高周波を発生させる高周波発生器を含み、高周波発生器により発生させた高周波を用いて処理容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構とを備える。高周波発生器は、高周波を発振する高周波発振器と、高周波発振器に電力を供給する電源部と、高周波発振器により発振された高周波を負荷側となる処理容器側に伝播する導波路と、高周波によって導波路内に形成される電圧定在波の電圧定在波比を電源部から供給される電力に応じて可変とする電圧定在波比可変機構(61)とを含む。
Également publié en tant que
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