WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014017635) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANT ÉLECTRONIQUE CÉRAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017635    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/070325
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.07.2013
CIB :
H01L 41/047 (2006.01), H01L 41/333 (2013.01), H05K 3/38 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1,Higashikotari 1-chome,Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : HOSHINO Hitomi; (JP).
KATAYAMA Ryoko; (JP).
ASONO Hiroshi; (JP)
Mandataire : KUNIHIRO Yasutoshi; 10F, Samty shinosaka front Bldg., 14-10, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-165809 26.07.2012 JP
Titre (EN) CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANT ÉLECTRONIQUE CÉRAMIQUE
(JA) セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, an electrode (2a) is formed at a primary surface (3a) of a piezoelectric ceramic element (1). In the piezoelectric ceramic element (1), the contact interface that contacts the electrode (2a) on the primary surface (3a) has a recessed section (20) encircled by crystal particles. The average depth (T) of the recessed section (20) is preferably 1-10 μm, and the occupancy ratio of the recessed section (20) at the contact interface is preferably at least 65% by area ratio. As a result, it is possible to avoid the occurrence of structural defects and the adhesion between the piezoelectric ceramic element and the electrode (conductive section) is favorable, and a ceramic electronic component is achieved such as a piezoelectric component having high reliability and able to secure desired favorable mechanical properties. Also, it is possible for the same action/effect to result even if a protruding section is formed in place of the recessed section (20).
(FR)Selon la présente invention, une électrode (2a) est formée à une surface primaire (3a) d'un élément céramique piézoélectrique (1). Dans l'élément céramique piézoélectrique (1), l'interface de contact qui vient en contact avec l'électrode (2a) sur la surface primaire (3a) possède une partie renfoncée (20) encerclée par des particules cristallines. La profondeur moyenne (T) de la section renfoncée (20) est de préférence de 1 à 10 µm, et le taux d'occupation de la partie renfoncée (20) à l'interface de contact est de préférence au moins 65 % en taux de surface. En résultat, il est possible d'éviter l'apparition de défauts de structure et l'adhésion entre l'élément céramique piézoélectrique et l'électrode (section conductrice) est favorable, et un composant électronique céramique est obtenu tel qu'un composant piézoélectrique ayant une fiabilité élevée et étant apte à assurer des propriétés mécaniques favorables désirées. De plus, il est possible d'obtenir le même effet/action même si une section de saillie est formée à la place de la section renfoncée (20).
(JA) 圧電セラミック素体1の主面3aに電極2aが形成されている。圧電セラミック素体1は、主面3a上の電極2aと接する接触界面が、結晶粒子に囲まれた窪み部20を有している。窪み部20の平均深さTは、1~10μmであるのが好ましく、窪み部20の接触界面における占有率が、面積比率で65%以上であるのが好ましい。これにより圧電セラミック素体と電極(導電部)との密着性が良好で構造欠陥が生じるのを回避でき、かつ所望の良好な機械的特性を確保できる高信頼性を有する圧電部品等のセラミック電子部品を実現する。また、窪み部20の代わりに突部を形成しても同様の作用・効果を奏することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)