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1. (WO2014009863) DIODE À HÉTÉROJONCTION DE SEMI-CONDUCTEURS PLANAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/009863    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/055566
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 08.07.2013
CIB :
H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : VISIC TECHNOLOGIES LTD. [IL/IL]; 2 Derech Meir Weisgal 7632605 Rehovot (IL).
BUNIN, Gregory [IL/IL]; (IL).
ROZMAN, David [IL/IL]; (IL).
BAKSHT, Tamara [IL/IL]; (IL)
Inventeurs : BUNIN, Gregory; (IL).
ROZMAN, David; (IL).
BAKSHT, Tamara; (IL)
Mandataire : A.C. ENTIS-IP LTD; Raoul Wallenberg 6 69719 Tel Aviv (IL)
Données relatives à la priorité :
61/669,138 09.07.2012 US
Titre (EN) PLANAR SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION DIODE
(FR) DIODE À HÉTÉROJONCTION DE SEMI-CONDUCTEURS PLANAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprising: a stack having a plurality of semiconductor layers; a first conducting terminal having electrical contact with layers in the stack; and a second terminal comprising first and second metallic components that interface with layers in the stack at first and second Schottky junctions and have work functions ϕ1 and ϕ2 respectively that satisfy a relationship ϕ1> ϕ2; wherein the metal components are spatially configured so that when the Schottky junctions are back biased, a depletion region generated at the first Schottky junction enhances isolation of the second metal component from mobile current carriers in the device.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs comprenant : un empilement ayant une pluralité de couches semi-conductrices ; une première borne de conduction ayant un contact électrique avec des couches dans l'empilement ; et une seconde borne comprenant des premier et second composants métalliques qui se connectent à des couches dans l'empilement au niveau de première et seconde jonctions Schottky et ont des fonctions de travail φ1 et φ2 respectivement qui satisfont une relation φ1 > φ2 ; les composants métalliques étant spatialement configurés de telle sorte que lorsque les jonctions Schottky sont polarisées en inverse, une région de déplétion générée au niveau de la première jonction Schottky améliore l'isolation du second composant métallique à partir de porteurs de courant mobiles dans le dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)