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1. (WO2014008262) PROCÉDÉ CONSISTANT À CONDUIRE UNE RÉACTION D'ÉQUILIBRE ET À SÉPARER SÉLECTIVEMENT LES ESPÈCES RÉACTIVES DE LA RÉACTION D'ÉQUILIBRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008262    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/049068
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2013
CIB :
C01B 33/107 (2006.01), C01G 17/04 (2006.01), C01B 33/033 (2006.01), C01B 33/039 (2006.01), B01J 8/02 (2006.01)
Déposants : HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 12334 Geddes Road Hemlock, MI 48626 (US)
Inventeurs : ARVIDSON, Arvid, N.; (US).
HERRON, William; (US).
MOLNAR, Michael, J.; (US).
REVIS, Anthony, L.; (US).
SOBECK, Daniel, D.; (US)
Mandataire : KOSTIEW, Krista, A.; Cantor Colburn LLP 20 Church Street, 22nd Flr. Hartford, CT 06103 (US)
Données relatives à la priorité :
61/667,138 02.07.2012 US
Titre (EN) METHOD OF CONDUCTING AN EQUILIBRIUM REACTION AND SELECTIVELY SEPARATING REACTIVE SPECIES OF THE EQUILIBRIUM REACTION
(FR) PROCÉDÉ CONSISTANT À CONDUIRE UNE RÉACTION D'ÉQUILIBRE ET À SÉPARER SÉLECTIVEMENT LES ESPÈCES RÉACTIVES DE LA RÉACTION D'ÉQUILIBRE
Abrégé : front page image
(EN)A method of conducting an equilibrium reaction and selectively separating reactive species of the equilibrium reaction includes introducing a first composition comprising a metal halide into an apparatus that is sealed from the ambient environment. A source of an elemental semiconductor that is reactive with the metal halide is introduced into the apparatus. The metal halide and elemental semiconductor are reacted, through an equilibrium reaction, in the apparatus to produce a gaseous stream that comprises a halide of the semiconductor, unreacted metal halide, and, optionally, elemental metal. Unreacted metal halide and, when present, elemental metal are condensed from the gaseous stream with the halide of the semiconductor remaining in the gaseous stream. At least a portion of the gaseous stream including the halide of the semiconductor is isolated from the condensed metal halide and elemental metal after condensing the metal halide and, when present, elemental metal from the gaseous stream.
(FR)L'invention concerne un procédé consistant à conduire une réaction d'équilibre et à séparer sélectivement les espèces réactives de la réaction d'équilibre qui consiste à introduire une première composition comprenant un halogénure de métal dans un appareil qui est étanche à l'environnement ambiant. Une source d'un semi-conducteur élémentaire qui est réactif à l'halogénure de métal est introduite dans l'appareil. L'halogénure de métal et le semi-conducteur élémentaire réagissent, à travers une réaction d'équilibre, dans l'appareil pour produire un flux gazeux qui comprend un halogénure du semi-conducteur, l'halogénure de métal n'ayant pas réagi, et, optionnellement, du métal élémentaire. L'halogénure de métal n'ayant pas réagi et, quand il est présent, le métal élémentaire sont condensés depuis le flux gazeux, l'halogénure du semi-conducteur restant dans le flux gazeux. Au moins une partie du flux gazeux comprenant l'halogénure du semi-conducteur est isolée de l'halogénure de métal et du métal élémentaire condensés après avoir condensé l'halogénure de métal et, quand il est présent, le métal élémentaire depuis le flux gazeux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)