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1. (WO2014006813) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/006813    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003336
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 27.05.2013
CIB :
H01S 5/343 (2006.01), H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : KAWAGUCHI, Masao; .
KASUGAI, Hideki; .
NOZAKI, Shinichiro;
Mandataire : NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-152454 06.07.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN)The present invention effectively increases the vertical optical confinement factor (Γv) of a semiconductor light-emitting device in order to reduce the oscillation threshold current thereof. This semiconductor light-emitting device (100) is equipped with an n-type light guide layer (3) comprising a group III nitride semiconductor, an active layer (4), and a p-type light guide layer (5). The n-type light guide layer (3) includes a semiconductor superlattice formed by repeatedly laminating group III nitride semiconductor (A) and group III nitride semiconductor (B). When respective band gaps of group III nitride semiconductor (A) and group III nitride semiconductor (B) are Eg (A) and Eg (B), Eg (A) > Eg (B) is satisfied. Group III nitride semiconductor (A) comprises an AlInN film containing 1×1018cm-3 or more of oxygen (O). A current is injected in the lamination direction of the semiconductor superlattice.
(FR)La présente invention augmente de façon efficace le facteur de confinement optique vertical (Γv) d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur afin de réduire son courant de seuil d'oscillation. Le dispositif électroluminescent à semi-conducteur (100) selon la présente invention est équipé d'une couche de guide d'ondes optique de type N (3) qui comprend un semi-conducteur de nitrure de groupe III, d'une couche active (4) et d'une couche de guide d'ondes optique de type P (5). La couche de guide d'ondes optique de type N (3) inclut un super-réseau semi-conducteur qui est formé en stratifiant de façon répétée le semi-conducteur de nitrure de groupe III (A) et le semi-conducteur de nitrure de groupe III (B). Lorsque les largeurs de bande interdite respectives du semi-conducteur de nitrure de groupe III (A) et du semi-conducteur de nitrure de groupe III (B) sont Eg (A) et Eg (B), la relation Eg (A) > Eg (B) est satisfaite. Le semi-conducteur de nitrure de groupe III (A) comprend un film d'AlInN contenant une quantité supérieure ou égale à 1×1018 cm-3 d'oxygène (O). Un courant est injecté dans le sens de la stratification du super-réseau semi-conducteur.
(JA) 半導体発光素子の垂直光閉じ込め係数Γvを効果的に増加させ、発振しきい値電流を低下させる。 半導体発光素子(100)は、III族窒化物半導体で構成されるn型光ガイド層(3)と、活性層(4)と、p型光ガイド層(5)とを備え、n型光ガイド層(3)は、III族窒化物半導体AとIII族窒化物半導体Bとを繰り返し積層した半導体超格子を含み、III族窒化物半導体AおよびIII族窒化物半導体Bの禁制帯幅をそれぞれEg(A)およびEg(B)とすると、Eg(A)>Eg(B)であって、III族窒化物半導体Aは膜中に酸素(O)を1×1018cm-3以上含むAlInNで構成され、半導体超格子の積層方向に電流が注入される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)