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1. (WO2014002589) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002589    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/061600
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 19.04.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : SAITOH, Yu; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP).
TANAKA, Sou; (JP).
HIRATSUKA, Kenji; (JP).
SHIMAZU, Mitsuru; (JP).
KANBARA, Kenji; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-142622 26.06.2012 JP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A first layer (121) made of silicon carbide having a first conductive type is formed. A second layer (122) arranged on the first layer (121) and having a second conductive type different from the first conductive type, and a third layer (123) having a first conductive type and arranged on the second layer (122) are formed. The step of forming the second and third layers (122, 123) includes a step of performing impurity ion implantation and a step of performing heat treatment in order to activate the impurity that was implanted by the impurity ion implantation. After the step of performing heat treatment, a trench (TR) is formed having sidewalls that pass through the third layer (123) and the second layer (122) and having a bottom that reaches the first layer (121). A gate insulating film (201) is formed that covers the sidewalls of the trench (TR). In this way, a silicon carbide semiconductor device (500) is provided having low ON resistance.
(FR)Selon la présente invention, une première couche (121) faite de carbure de silicium ayant un premier type de conductivité est formée. Une seconde couche (122) disposée sur la première couche (121) et ayant un second type de conductivité différent du premier type de conductivité, et une troisième couche (123) ayant un premier type de conductivité et disposée sur la seconde couche (122) sont formées. L'étape de formation des seconde et troisième couches (122, 123) comprend une étape de réalisation d'une implantation d'ions à impureté et une étape de réalisation d'un traitement thermique afin d'activer l'impureté qui a été implantée par l'implantation d'ions à impureté. Après l'étape de réalisation d'un traitement thermique, une tranchée (TR) est formée, qui comprend des parois latérales qui passent à travers la troisième couche (123) et la seconde couche (122) et un fond qui atteint la première couche (121). Un film d'isolation de grille (201) est formé, lequel recouvre les parois latérales de la tranchée (TR). De cette façon, un dispositif à semi-conducteurs à carbure de silicium (500) avec une faible résistance à l'état passant est fourni.
(JA) 炭化珪素から作られ第1の導電型を有する第1の層(121)が形成される。第1の層(121)上に位置し第1の導電型と異なる第2の導電型を有する第2の層(122)と、第2の層(122)上に位置し第1の導電型を有する第3の層(123)とが形成される。第2および第3の層(122、123)を形成する工程は、不純物イオン注入を行う工程と、不純物イオン注入によって注入された不純物を活性化するための熱処理を行う工程とを含む。熱処理を行う工程の後に、第3の層(123)および第2の層(122)を貫通する側壁を有し、第1の層(121)に至る底部を有するトレンチ(TR)が形成される。トレンチ(TR)の側壁を覆うゲート絶縁膜(201)が形成される。これにより、低いオン抵抗を有する炭化珪素半導体装置(500)を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)