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1. (WO2013187500) PROCÉDÉ DE SCELLEMENT D'UN ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ET JONCTION DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187500    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066446
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 14.06.2013
CIB :
H05B 33/04 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Déposants : SUGA Tadatomo [JP/JP]; (JP).
LAN TECHNICAL SERVICE CO., LTD. [JP/JP]; 26-2-32F, Nishi-shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630532 (JP)
Inventeurs : SUGA Tadatomo; (JP).
MATSUMOTO Yoshiie; (JP)
Mandataire : SONODA Yoshitaka; SONODA & KOBAYASHI, 34th Floor, Shinjuku Mitsui Building, 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630434 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-135898 15.06.2012 JP
Titre (EN) ELECTRONIC ELEMENT SEALING METHOD AND SUBSTRATE JUNCTION
(FR) PROCÉDÉ DE SCELLEMENT D'UN ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE ET JONCTION DE SUBSTRAT
(JA) 電子素子の封止方法及び基板接合体
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] The aim of the invention is to provide a method of sealing an electronic element such as an organic EL element using a normal temperature bonding method that enables bonding at low temperature and in which permeation of external gases such as hydrogen or oxygen through the sealed section (dam) formed by the organic material, or the junction interface of the sealed section and a cover substrate is suppressed. [Solution] A method of sealing an electronic element comprises: a step of forming a sealing section by forming a sealing section including an organic material on the surface of a first substrate formed with the electronic element, surrounding this electronic element with a thickness that is larger than that of this electronic element; a step of forming a first inorganic material layer in which a first inorganic material layer is formed at least on the exposed surface of this sealing section; and a substrate bonding step of bonding the first substrate and the second substrate by pushing together the sealing section of the first substrate and the junction location of the second substrate.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à proposer un procédé de scellement d'un élément électronique, tel qu'un élément électroluminescent (EL) organique, à l'aide d'un procédé de collage à température normale qui permet un collage à basse température et au cours duquel la perméation des gaz externes, tels que l'hydrogène ou l'oxygène, à travers la section scellée (un barrage) formée par le matériau organique, ou l'interface de jonction de la section scellée et un substrat de recouvrement est supprimée. La solution proposée consiste en un procédé de scellement d'un élément électronique qui comprend : une étape consistant à former une section de scellement par formation d'une section de scellement comprenant un matériau organique sur la surface d'un premier substrat formé avec l'élément électronique, à entourer cet élément électronique avec une épaisseur qui est plus importante que celle de cet élément électronique ; une étape consistant à former une première couche de matériau inorganique dans laquelle une première couche de matériau inorganique est formée au moins sur la surface exposée de cette section de scellement ; et une étape de collage de substrat consistant à coller le premier substrat et le second substrat en pressant ensemble la section de scellement du premier substrat et le site de jonction du second substrat.
(JA)【課題】本願発明は、有機EL素子などの電子素子の封止方法において、有機材料で形成された封止部(ダム部)又は封止部とカバー基板との接合界面を介した水や酸素などの外気の透過を抑制し、低温で接合を可能にする常温接合法を適用した電子素子の封止方法を提供することを目的とする。 【解決手段】電子素子の封止方法する方法が、電子素子が形成された第一基板の表面上に、有機材料を含む封止部を、当該電子素子より大きい厚みで当該電子素子を囲んで形成する封止部形成工程と、少なくとも前記封止部の露出表面に第一無機材料層を形成する第一無機材料層形成工程と、第一基板上の封止部と第二基板の接合部位とを互いに押し付けて、第一基板と第二基板とを接合する基板接合工程と、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)