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1. (WO2013187115) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187115    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/061010
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 12.04.2013
CIB :
H01J 37/21 (2006.01), H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/244 (2006.01)
Déposants : HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventeurs : TACHIBANA Ichiro; (JP).
SUZUKI Naomasa; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-135297 15.06.2012 JP
Titre (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
Abrégé : front page image
(EN)In a case where a signal electron is subject to energy selection and detected by performing control by combining retarding and boosting for deep hole observation and the like, there is no choice but to use the magnetic field change of an objective lens for focus adjustment, but because magnetic field change has poor responsivity, through-put is reduced. In the present invention, the following are provided: an electron source for generating a primary electron beam; an objective lens for converging the primary electron beam; a deflector for deflecting the primary electron beam; a detector for detecting reflected electrons and secondary electrons emitted from a sample as a result of the emission of the primary electron beam; an electrode having a hole through which the primary electron beam passes; a voltage control power source for applying a negative voltage to the electrode; and a retarding voltage control power source for generating on the sample an electrical field that decelerates the primary electron beam by applying the negative voltage to the sample. Focal adjustment is carried out in a state where the difference between the voltage applied to the electrode and the voltage applied to the sample is made constant.
(FR)Lorsqu'un électron de signal est l'objet d'une sélection énergétique et détecté en effectuant la commande en combinant le retardement et l'accélération pour l'observation de trous profonds et similaire, il n'existe pas d'autre choix que d'utiliser le changement du champ magnétique d'une lentille d'objectif pour l'ajustement du point focal, mais du fait que le changement du champ magnétique présente une faible capacité de réponse, le débit se trouve réduit. Le système selon l'invention comprend : une source d'électrons qui génère un faisceau d'électrons primaires ; une lentille d'objectif qui met en convergence le faisceau d'électrons primaires ; un déflecteur qui dévie le faisceau d'électrons primaires ; un détecteur qui détecte les électrons réfléchis et les électrons secondaires émis à partir d'un échantillon sous l'effet de l'émission du faisceau d'électrons primaires ; une électrode munie d'un trou par lequel passe le faisceau d'électrons primaires ; une source d'énergie de commande de tension qui applique une tension négative à l'électrode ; et une source d'énergie de commande de tension de retardement qui génère sur l'échantillon un champ électrique qui ralentit le faisceau d'électrons primaires, en appliquant la tension négative à l'échantillon. L'ajustement du point focal est effectué dans un état dans lequel la différence entre la tension appliquée à l'électrode et la tension appliquée à l'échantillon est maintenue constante.
(JA) 深穴観察等のためにリターディングとブースティングを組み合わせて制御することで信号電子をエネルギー選択して検出する場合、フォーカス調整には対物レンズの磁場変化を使うしかないが、磁場変化は応答性が悪いため、スループットが低下してしまう。 一次電子線を発生する電子源と、前記一次電子線を集束する対物レンズと、前記一次電子線を偏向させる偏向器と、前記一次電子線の照射によって試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する検出器と、前記一次電子線が通過する孔を有する電極と、前記電極に負電圧を印加する電圧制御電源と、前記試料に負電圧を印加することで前記試料上に前記一次電子線を減速させる電界を生成するリターディング電圧制御電源と、を備え、前記電極に印加される電圧と前記試料に印加される電圧との差を一定にしたまま焦点調整を行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)