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1. (WO2013179444) DISPOSITIF DE MESURE DE DIMENSION DE TEXTURE, SYSTÈME DE FABRICATION POUR CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/179444    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/064103
Date de publication : 05.12.2013 Date de dépôt international : 31.05.2012
CIB :
G01B 11/02 (2006.01), G01N 21/84 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Hirotada [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Hirotada; (JP)
Mandataire : YKI Patent Attorneys; 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEASUREMENT DEVICE FOR TEXTURE SIZE, MANUFACTURING SYSTEM FOR SOLAR CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE DIMENSION DE TEXTURE, SYSTÈME DE FABRICATION POUR CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELLULE SOLAIRE
(JA) テクスチャサイズの測定装置、太陽電池の製造システム、及び太陽電池の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method for a solar cell (10), wherein after a texture (26) is formed on a principal surface of a substrate (21), infrared light in a predetermined wave number range is applied to a portion, on which the texture (26) is formed, of the principal surface, a wave number at a specified transmission detection rate of the infrared light transmitted through the substrate (21) and detected is acquired, the Tx size of the substrate (21) is calculated on the basis of the acquired wave number using a previously obtained relationship between the wave number at the specified transmission detection rate and the Tx size, and when the calculated Tx size is within a reference value range, a collecting electrode is formed on the principal surface.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication pour cellule solaire (10), dans lequel après qu'une texture (26) soit formée sur une surface principale d'un substrat (21), une lumière infrarouge dans une plage de nombres d'ondes prédéterminée est appliquée à une partie, sur laquelle la texture (26) est formée, de la surface principale, un nombre d'ondes à un taux de détection d'émission spécifié de la lumière infrarouge émise à travers le substrat (21) et détectée est acquis, la dimension Tx du substrat (21) est calculée sur la base du nombre d'ondes acquis à l'aide d'une relation obtenue précédemment entre le nombre d'ondes au taux de détection d'émission spécifié et la dimension Tx, et lorsque la dimension Tx calculée est dans une plage de valeur de référence, une électrode de collecte est formée sur la surface principale.
(JA) 太陽電池10の製造方法は、基板21の主面にテクスチャ26を形成した後、当該主面のテクスチャ26が形成された部分に所定波数範囲の赤外光を照射し、基板21を透過して検出される赤外光の特定透過検出率における波数を取得し、特定透過検出率における波数とTxサイズとの予め求められた関係を用いて、取得した波数に基づき基板21のTxサイズを算出し、算出したTxサイズが基準値範囲内である場合に、主面上に集電極を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)