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1. WO2013179444 - DISPOSITIF DE MESURE DE DIMENSION DE TEXTURE, SYSTÈME DE FABRICATION POUR CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELLULE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2013/179444
Date de publication 05.12.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2012/064103
Date du dépôt international 31.05.2012
CIB
G01B 11/02 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
BMESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
11Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de moyens optiques
02pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur
G01N 21/84 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
H01L 31/04 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
B05B 12/004
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
12Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
004comprising sensors for monitoring the delivery, e.g. by displaying the sensed value or generating an alarm
G01B 11/02
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
02for measuring length, width or thickness
G01B 11/303
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
30for measuring roughness or irregularity of surfaces
303using photoelectric detection means
G01N 2021/3568
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
35using infra-red light
3563for analysing solids; Preparation of samples therefor
3568applied to semiconductors, e.g. Silicon
G01N 21/59
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
59Transmissivity
G01N 21/84
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
Déposants
  • 三洋電機株式会社 SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 井上 広匡 INOUE, Hirotada [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 井上 広匡 INOUE, Hirotada
Mandataires
  • 特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI Patent Attorneys
Données relatives à la priorité
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MEASUREMENT DEVICE FOR TEXTURE SIZE, MANUFACTURING SYSTEM FOR SOLAR CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE DIMENSION DE TEXTURE, SYSTÈME DE FABRICATION POUR CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELLULE SOLAIRE
(JA) テクスチャサイズの測定装置、太陽電池の製造システム、及び太陽電池の製造方法
Abrégé
(EN) A manufacturing method for a solar cell (10), wherein after a texture (26) is formed on a principal surface of a substrate (21), infrared light in a predetermined wave number range is applied to a portion, on which the texture (26) is formed, of the principal surface, a wave number at a specified transmission detection rate of the infrared light transmitted through the substrate (21) and detected is acquired, the Tx size of the substrate (21) is calculated on the basis of the acquired wave number using a previously obtained relationship between the wave number at the specified transmission detection rate and the Tx size, and when the calculated Tx size is within a reference value range, a collecting electrode is formed on the principal surface.
(FR) La présente invention porte sur un procédé de fabrication pour cellule solaire (10), dans lequel après qu'une texture (26) soit formée sur une surface principale d'un substrat (21), une lumière infrarouge dans une plage de nombres d'ondes prédéterminée est appliquée à une partie, sur laquelle la texture (26) est formée, de la surface principale, un nombre d'ondes à un taux de détection d'émission spécifié de la lumière infrarouge émise à travers le substrat (21) et détectée est acquis, la dimension Tx du substrat (21) est calculée sur la base du nombre d'ondes acquis à l'aide d'une relation obtenue précédemment entre le nombre d'ondes au taux de détection d'émission spécifié et la dimension Tx, et lorsque la dimension Tx calculée est dans une plage de valeur de référence, une électrode de collecte est formée sur la surface principale.
(JA)  太陽電池10の製造方法は、基板21の主面にテクスチャ26を形成した後、当該主面のテクスチャ26が形成された部分に所定波数範囲の赤外光を照射し、基板21を透過して検出される赤外光の特定透過検出率における波数を取得し、特定透過検出率における波数とTxサイズとの予め求められた関係を用いて、取得した波数に基づき基板21のTxサイズを算出し、算出したTxサイズが基準値範囲内である場合に、主面上に集電極を形成する。
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