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1. WO2013176147 - CIRCUIT D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2013/176147
Date de publication 28.11.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2013/064119
Date du dépôt international 21.05.2013
CIB
H03F 1/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
32Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H03F 3/24 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
24d'étages transmetteurs de sortie
CPC
H03F 1/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
H03F 1/0205
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
0205in transistor amplifiers
H03F 1/0227
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
0205in transistor amplifiers
0211with control of the supply voltage or current
0216Continuous control
0222by using a signal derived from the input signal
0227using supply converters
H03F 1/32
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
H03F 1/3223
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
3223using feed-forward
H03F 1/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
Déposants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 伊藤 雅広 ITO, Masahiro
  • 竹中 幹一郎 TAKENAKA, Kiichiro
  • 田中 聡 TANAKA, Satoshi
  • 松本 秀俊 MATSUMOTO, Hidetoshi
Mandataires
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
Données relatives à la priorité
2012-11995925.05.2012JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POWER AMPLIFICATION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE
(JA) 電力増幅回路
Abrégé
(EN) Disclosed is a power amplification circuit wherein linearity and power efficiency are improved. The power amplification circuit is provided with: a first transistor, which amplifies signals inputted to a base, and outputs amplified signals from a collector; and a first capacitor, which is provided between the base and the collector of the first transistor, and which has an electrostatic capacitance having a voltage dependency lower than that of a parasitic capacitance between the base and the collector of the first transistor.
(FR) L'invention se rapporte à un circuit d'amplification de puissance ayant une meilleure linéarité et une plus grande efficacité énergétique. Ce circuit d'amplification de puissance est doté : d'un premier transistor qui amplifie les signaux appliqués à une base et fait sortir par le biais d'un collecteur des signaux amplifiés ; et d'un premier condensateur qui est situé entre la base et le collecteur du premier transistor et dont la capacité électrostatique a une dépendance à la tension inférieure à celle d'une capacité parasite entre la base et le collecteur du premier transistor.
(JA)  電力増幅回路における線形性及び電力効率を高める。電力増幅回路は、ベースに入力される信号を増幅してコレクタから出力する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのベースとコレクタとの間に設けられ、第1のトランジスタのベース-コレクタ間の寄生容量と比較して電圧依存性が低い静電容量を有する第1のキャパシタと、を備える。
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