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1. WO2013175396 - PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT LE POLISSAGE MÉCANICO-CHIMIQUE (CMP) DE MATÉRIAU III-V EN PRÉSENCE D'UNE COMPOSITION CMP COMPRENANT UN TENSIOACTIF NON IONIQUE SPÉCIFIQUE

Numéro de publication WO/2013/175396
Date de publication 28.11.2013
N° de la demande internationale PCT/IB2013/054169
Date du dépôt international 21.05.2013
CIB
C09G 1/02 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
GCOMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1Compositions de produits à polir
02contenant des abrasifs ou agents de polissage
H01L 21/304 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/306 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
B81C 2201/0121
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
0118Processes for the planarization of structures
0121involving addition of material followed by removal of parts of said material, i.e. subtractive planarization
B81C 2201/0123
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
0118Processes for the planarization of structures
0123Selective removal
B81C 2201/0126
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
0118Processes for the planarization of structures
0126Processes for the planarization of structures not provided for in B81C2201/0119 - B81C2201/0125
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
H01L 21/302
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Déposants
  • BASF SE [DE]/[DE]
  • BASF (CHINA) COMPANY LIMITED [CN]/[CN] (MN)
Inventeurs
  • LI, Yuzhuo
  • NOLLER, Bastian Marten
  • GILLOT, Christophe
  • FRANZ, Diana
Représentant commun
  • BASF SE
Données relatives à la priorité
61/65050223.05.2012US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) OF III-V MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC NON-IONIC SURFACTANT
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT LE POLISSAGE MÉCANICO-CHIMIQUE (CMP) DE MATÉRIAU III-V EN PRÉSENCE D'UNE COMPOSITION CMP COMPRENANT UN TENSIOACTIF NON IONIQUE SPÉCIFIQUE
Abrégé
(EN) A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical-mechanical polishing of a substrate or layer containing at least one lll-V material in the presence of a chemical-mechanical polishing composition (Q1) comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, (B) at least one amphiphilic non-ionic surfactant having (b1) at least one hydrophobic group; and (b2) at least one hydrophilic group selected from the group consisting of polyoxyalkylene groups comprising (b22) oxyalkylene monomer units other than oxyethylene monomer units; and (M) an aqueous medium.
(FR) L'invention concerne un procédé pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs comprenant le polissage mécanico-chimique d'un substrat ou d'une couche contenant au moins un matériau lll-V en présence d'une composition de polissage mécanico-chimique (Q1) comprenant (A) des particules inorganiques, des particules organiques ou un mélange ou un composite de celles-ci, (B) au moins un tensioactif amphiphile non ionique ayant (b1) au moins un groupe hydrophobe ; et (b2) au moins un groupe hydrophile sélectionné dans le groupe consistant en groupes de polyoxyalkylène comprenant (b22) des unités monomère d'oxyalkylène autres que des unités monomères d'oxyéthylène ; et (M) un milieu aqueux.
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