(EN) A highly reliable semiconductor device the yield of which can be prevented from decreasing due to electrostatic discharge damage is provided. A semiconductor device is provided which includes a gate electrode layer, a gate insulating layer over the gate electrode layer, an oxide insulating layer over the gate insulating layer, an oxide semiconductor layer being above and in contact with the oxide insulating layer and overlapping with the gate electrode layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer electrically connected to the oxide semiconductor layer. The gate insulating layer includes a silicon film containing nitrogen. The oxide insulating layer contains one or more metal elements selected from the constituent elements of the oxide semiconductor layer. The thickness of the gate insulating layer is larger than that of the oxide insulating layer.
(FR) L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur à haute fiabilité dont le rendement ne diminue pas en raison de dégâts dus à des décharges électrostatiques. Un dispositif semi-conducteur comprend une couche d'électrode grille, une couche d'isolation de grille sur la couche d'électrode grille, une couche d'isolation d'oxyde sur la couche d'isolation de grille, une couche semi-conductrice d'oxyde étant au-dessus de la couche d'isolation d'oxyde et en contact avec elle et empiétant sur la couche d'électrode grille, et une couche d'électrode source ainsi qu'une couche d'électrode déversoir connectées électriquement à la couche semi-conductrice d'oxyde. La couche d'isolation de grille comprend une pellicule de silicium contenant de l'azote. La couche d'isolation d'oxyde contient un ou plusieurs éléments métalliques sélectionnés parmi les éléments constitutifs de la couche semi-conductrice d'oxyde. L'épaisseur de la couche d'isolation de grille est supérieure à celle de la couche d'isolation d'oxyde.