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1. WO2013164940 - PROCÉDÉ PERMETTANT D'INJECTER UN DOPANT DANS UN CORPS DE BASE DEVANT ÊTRE TRAITÉ, ET APPAREIL DE DOPAGE AU PLASMA

Numéro de publication WO/2013/164940
Date de publication 07.11.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2013/060509
Date du dépôt international 05.04.2013
CIB
H01L 21/265 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
265produisant une implantation d'ions
H05H 1/46 2006.1
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
CPC
H01J 2237/31705
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
317Processing objects on a microscale
31701Ion implantation
31705Impurity or contaminant control
H01J 2237/3365
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
336Changing physical properties of treated surfaces
3365Plasma source implantation
H01J 37/32192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
H01J 37/32412
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32412Plasma immersion ion implantation
H01J 37/32449
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
32449Gas control, e.g. control of the gas flow
H01L 21/2225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; ; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
2225Diffusion sources
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 堀込 正弘 HORIGOME Masahiro
  • 上田 博一 UEDA Hirokazu
  • 岡 正浩 OKA Masahiro
  • 山崎 政宏 YAMAZAKI Masahiro
  • 根本 剛直 NEMOTO Takenao
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
Données relatives à la priorité
2012-10463201.05.2012JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR INJECTING DOPANT INTO BASE BODY TO BE PROCESSED, AND PLASMA DOPING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT D'INJECTER UN DOPANT DANS UN CORPS DE BASE DEVANT ÊTRE TRAITÉ, ET APPAREIL DE DOPAGE AU PLASMA
(JA) 被処理基体にドーパントを注入する方法、及びプラズマドーピング装置
Abrégé
(EN) Provided is a method for injecting a dopant into a base body to be processed. A method in one embodiment of the present invention includes: (a) a step for preparing, in a processing container, a base body to be processed; and (b) a step for injecting a dopant into the base body by supplying a doping gas containing AsH3, an inert gas, and H2 gas to the inside of the processing container, and applying plasma excitation energy to the inside of the processing container. In the step of injecting the dopant, the ratio of hydrogen partial pressure to the gas total pressure in the processing container is set within the range of 0.0015-0.003.
(FR) La présente invention concerne un procédé permettant d'injecter un dopant dans un corps de base devant être traité. Un procédé d'un mode de réalisation de la présente invention comprend : (a) une étape permettant de préparer, dans un contenant de traitement, un corps de base devant être traité ; et (b) une étape permettant d'injecter un dopant dans le corps de base par la fourniture d'un gaz dopant contenant AsH3, d'un gaz inerte, et de H2 gazeux à l'intérieur du contenant de traitement, et à appliquer une énergie d'excitation par plasma à l'intérieur du contenant de traitement. Dans l'étape d'injection du dopant, le rapport de la pression partielle d'hydrogène à la pression totale de gaz dans le contenant de traitement est défini dans la plage de 0,0015 à 0,003.
(JA)  被処理基体にドーパントを注入する方法を提供する。一実施形態の方法は、(a)処理容器内に被処理基体を準備する工程と、(b)処理容器内に、AsHを含むドーピングガス、不活性ガス、及び、Hガスを供給し、当該処理容器内にプラズマ励起エネルギーを与えて、被処理基体にドーパントを注入する工程と、を含む。ドーパントを注入する工程においては、処理容器内におけるガスの全圧に対する水素の分圧の比が0.0015以上0.003以下に設定される。
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