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1. WO2013138558 - COMPOSITIONS DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE SÉLECTIVES POUR L'OXYDE ET LE NITRURE AFFICHANT UN TAUX D'ÉLIMINATION ÉLEVÉ ET UNE FAIBLE DÉFECTIVITÉ

Numéro de publication WO/2013/138558
Date de publication 19.09.2013
N° de la demande internationale PCT/US2013/031213
Date du dépôt international 14.03.2013
CIB
C09K 3/14 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
H01L 21/306 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/30625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
H01L 21/3212
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
32115Planarisation
3212by chemical mechanical polishing [CMP]
Déposants
  • CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • REISS, Brian
  • WHITENER, Glenn
Mandataires
  • WESEMAN, Steven
Données relatives à la priorité
61/610,84314.03.2012US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CMP COMPOSITIONS SELECTIVE FOR OXIDE AND NITRIDE WITH HIGH REMOVAL RATE AND LOW DEFECTIVITY
(FR) COMPOSITIONS DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE SÉLECTIVES POUR L'OXYDE ET LE NITRURE AFFICHANT UN TAUX D'ÉLIMINATION ÉLEVÉ ET UNE FAIBLE DÉFECTIVITÉ
Abrégé
(EN) The invention provides a chemical -mechanical polishing composition containing a ceria abrasive, one or more nonionic polymers, optionally one or more phosphonic acids, optionally one or more nitrogen-containing zwitterionic compounds, optionally one or more sulfonic acid copolymers, optionally one or mote anionic copolymers, optionally one or more polymers comprising quaternary amines, optionally one or more compounds that adjust the pH of the -polishing compositions, water, and optionally one or more additives. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the inventive chemical-mechanical polishing composition. Typically, the substrate contains silicon oxide, silicon nitride, and/or polysilicon.
(FR) L'invention concerne une composition de polissage chimico-mécanique contenant un abrasif à base d'oxyde de cérium, un ou plusieurs polymères non ioniques, éventuellement un ou plusieurs acides phosphoniques, éventuellement un ou plusieurs composés zwittérioniques contenant de l'azote, éventuellement un ou plusieurs copolymères d'acide sulfonique, éventuellement un ou plusieurs copolymères anioniques, éventuellement un ou plusieurs polymères comprenant des amines quaternaires, éventuellement un ou plusieurs composés qui ajustent le pH des compositions de polissage, de l'eau, et éventuellement un ou plusieurs additifs. L'invention concerne en outre un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat à l'aide de la composition de polissage mécano-chimique visée par la présente invention. De manière générale, le substrat contient de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium et/ou du polysilicium.
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