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1. WO2013137262 - MÉMOIRE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE

Numéro de publication WO/2013/137262
Date de publication 19.09.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2013/056826
Date du dépôt international 12.03.2013
CIB
H01L 27/105 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 45/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 49/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 45/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
08based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
H01L 45/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
H01L 45/1253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
1253Electrodes
H01L 45/145
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
145Oxides or nitrides
H01L 45/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
145Oxides or nitrides
146Binary metal oxides, e.g. TaOx
Déposants
  • 国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP]/[JP]
  • 東芝マテリアル株式会社 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 角嶋 邦之 KAKUSHIMA, Kuniyuki
  • ドウ チュウメン DOU, Chumeng
  • アヘメト パールハット AHMET, Parhat
  • 岩井 洋 IWAI, Hiroshi
  • 片岡 好則 KATAOKA, yoshinori
Mandataires
  • 日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko
Données relatives à la priorité
2012-05787114.03.2012JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RESISTANCE CHANGE MEMORY
(FR) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE
(JA) 抵抗変化型記憶装置
Abrégé
(EN) Provided is a resistance change memory having a high on/off ratio. The resistance change memory of an embodiment comprises: a first electrode containing a first element; a resistance change layer formed on the first electrode and comprising an oxide of the first element; an oxygen-conducting layer which has been formed on the resistance change layer, comprises a second element and oxygen, has oxygen ion conductivity, and has a higher relative permittivity than the resistance change layer; and a second electrode formed on the oxygen-conducting layer. When the voltage between the first electrode and the second electrode is continuously raised from zero, the resistance change layer undergoes dielectric breakdown earlier than the oxygen-conducting layer.
(FR) La présente invention concerne une mémoire à changement de résistance présentant un taux de marche/arrêt élevé. La mémoire à changement de résistance d'un mode de réalisation comprend : une première électrode, contenant un premier élément ; une couche à changement de résistance, formée sur la première électrode, et comprenant un oxyde du premier élément ; une couche conductrice d'oxygène, qui a été formée sur la couche à changement de résistance, qui comprend un second élément et de l'oxygène, qui présente une conductivité en ion oxygène, et qui présente une permittivité relativement plus élevée que la couche à changement de résistance ; et une seconde électrode, formée sur la couche conductrice d'oxygène. Lorsque la tension entre la première électrode et la seconde électrode est non nulle de manière continue, la couche à changement de résistance subit une rupture diélectrique antérieurement à la couche conductrice d'oxygène.
(JA)  オン/オフ比が高い抵抗変化型記憶装置を提供する。 実施形態に係る抵抗変化型記憶装置は、第1の元素を含む第1電極と、前記第1電極上に設けられ、前記第1の元素の酸化物を含む抵抗変化層と、前記抵抗変化層上に設けられ、第2の元素及び酸素を含み、酸素イオン伝導性を持ち、比誘電率が前記抵抗変化層の比誘電率よりも高い酸素伝導層と、前記酸素伝導層上に設けられた第2電極と、を備える。そして、前記第1電極と前記第2電極との間の電圧をゼロから連続的に増加させたときに、前記酸素伝導層よりも先に前記抵抗変化層が絶縁破壊する。
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