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1. WO2013128925 - DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES À ÉTAT SOLIDE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MICROLENTILLE DANS UN DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES À ÉTAT SOLIDE, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2013/128925
Date de publication 06.09.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2013/001188
Date du dépôt international 27.02.2013
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/369 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
H01L 27/14623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14623Optical shielding
H01L 27/14627
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
14627Microlenses
H01L 27/14643
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
H04N 5/232122
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
222Studio circuitry; Studio devices; Studio equipment ; ; Cameras comprising an electronic image sensor, e.g. digital cameras, video cameras, TV cameras, video cameras, camcorders, webcams, camera modules for embedding in other devices, e.g. mobile phones, computers or vehicles
225Television cameras ; ; Cameras comprising an electronic image sensor, e.g. digital cameras, video cameras, camcorders, webcams, camera modules specially adapted for being embedded in other devices, e.g. mobile phones, computers or vehicles
232Devices for controlling television cameras, e.g. remote control ; ; Control of cameras comprising an electronic image sensor;
23212Focusing based on image signals provided by the electronic image sensor
232122based on the difference in phase of signals
H04N 5/36961
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
3696SSIS architecture characterized by non-identical, non-equidistant or non-planar pixel layout, sensor embedding other types of pixels not meant for producing an image signal, e.g. fovea sensors or display pixels
36961the other type of pixels are pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
Déposants
  • SONY CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • OOTSUKA, Yoichi
Mandataires
  • YAMAMOTO, Takahisa
Données relatives à la priorité
2012-04528601.03.2012JP
2012-22093103.10.2012JP
2013-01456329.01.2013JP
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF FORMING MICROLENS IN SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES À ÉTAT SOLIDE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MICROLENTILLE DANS UN DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES À ÉTAT SOLIDE, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Abrégé
(EN) A solid-state imaging device comprises an imaging pixel located in a light receiving region, the imaging pixel being a component of a unit pixel that is one of a plurality of unit pixels arranged in an array direction. A phase difference detection pixel is located in the light receiving region and is a component of the unit pixel, and has a corresponding photodiode with an upper surface. A first microlens corresponds to the imaging pixel, and a second microlens corresponding to the phase difference detection pixel. The second microlens has a first bottom surface in the array direction and a second bottom surface in a direction diagonal to the array direction, the second bottom surface being closer to the upper surface of the photodiode than the first bottom surface.
(FR) L'invention concerne un dispositif de formation d'images à état solide qui comprend un pixel d'imagerie situé dans une zone de réception de lumière, le pixel d'imagerie étant un composant d'un pixel unitaire qui est un pixel unitaire parmi une pluralité de pixels unitaires disposés dans une direction de réseau. Un pixel de détection de différence de phase est situé dans la région de réception de lumière et est un composant du pixel unitaire, et comporte une photodiode correspondante dotée d'une surface supérieure. Une première microlentille correspond au pixel d'imagerie, et une seconde microlentille correspondant au pixel de détection de différence de phase. La seconde microlentille a une première surface inférieure dans la direction de réseau et une seconde surface inférieure dans une direction diagonale par rapport à la direction de réseau, la seconde surface inférieure étant plus proche de la surface supérieure de la photodiode que la première surface inférieure.
Documents de brevet associés
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