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1. (WO2013073468) SUBSTRAT PERMETTANT DE FORMER UN ÉLÉMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT PERMETTANT DE FORMER UN ÉLÉMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/073468    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/079110
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 09.11.2012
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventeurs : IKEDA, Keiji; (JP)
Mandataire : KURATA, Masatoshi; c/o SUZUYE & SUZUYE, 6th floor, Kangin-Fujiya Bldg. 1-3-2, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-251885 17.11.2011 JP
Titre (EN) SUBSTRATE FOR FORMING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR FORMING ELEMENT
(FR) SUBSTRAT PERMETTANT DE FORMER UN ÉLÉMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT PERMETTANT DE FORMER UN ÉLÉMENT
(JA) 素子形成用基板及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a substrate for forming an element, said substrate having a Ge layer or a SiGe layer formed on an insulating film. A Si film (12) is formed on a surface of a Ge substrate (11), a high-dielectric constant insulating film (13) is formed on the Si film (12), the Ge substrate (11), which has the Si film (12) and the high-dielectric constant insulating film (13) formed thereon, and a supporting substrate (21), which has an oxide film (22) formed on a surface thereof, are bonded by bringing the high-dielectric constant insulating film (13) and the oxide film (22) into contact with each other, and the Ge substrate (11) bonded to the supporting substrate (21) is made thin by polishing the Ge substrate (11) from the rear surface side thereof.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un substrat permettant de former un élément, ledit substrat présentant une couche de germanium (Ge) ou une couche de SiGe formée sur un film isolant. Un film de silicium (Si) (12) est formé sur une surface d'un substrat de germanium (Ge) (11), un film isolant de constante diélectrique élevée (13) est formé sur le film de silicium (Si) (12), le substrat de germanium (Ge) (11) qui comprend le film de silicium (Si) (12) et le film isolant de constante diélectrique élevée (13) formé sur ce dernier, ainsi qu'un substrat de support (21) qui comprend un film d'oxyde (22) formé sur une surface de ce dernier, sont liés en mettant le film isolant de constante diélectrique élevée (13) et le film d'oxyde (22) en contact l'un avec l'autre, et le substrat de germanium (Ge) (11) lié au substrat de support (21) est rendu mince par polissage du substrat de germanium (Ge) (11) depuis le côté surface arrière de ce dernier.
(JA) 絶縁膜上にGe層又はSiGe層を形成した素子形成用基板の製造方法であって、Ge基板(11)の表面上にSi膜(12)を形成し、Si膜(12)上に高誘電率絶縁膜(13)を形成し、Si膜(12)及び高誘電率絶縁膜(13)が形成されたGe基板(11)と表面に酸化膜(22)が形成された支持基板(21)とを、高誘電率絶縁膜(13)と酸化膜(22)とを接触させて接着し、支持基板(21)に接着されたGe基板(11)を、Ge基板(11)の裏面側から研磨して薄くする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)