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1. (WO2013061593) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/061593 N° de la demande internationale : PCT/JP2012/006850
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 25.10.2012
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs : KATSUNUMA, Takayuki; JP
HONDA, Masanobu; JP
KUBOTA, Kazuhiro; JP
ICHIKAWA, Hironobu; JP
Mandataire : SAKURA PATENT OFFICE, P.C.; PMO Kanda Tsukasa-machi, 8-1, Kanda Tsukasa-machi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010048, JP
Données relatives à la priorité :
2011-23669428.10.2011JP
61/557,45809.11.2011US
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed is a method of manufacturing a semiconductor device whereby an etched shape can be made more uniform in the middle and at the periphery. In this method, a semiconductor device comprising said wafer is manufactured using a plasma etching device equipped with: a chamber; a chuck arranged in this chamber and whereon a wafer to be processed is placed; a focus ring arranged at the periphery of said chuck so as to surround the position of placement of said wafer; and a gas supply mechanism that is capable of supplying gas of various different types in accordance with position in the radial direction of said wafer. A wafer formed with an organic film is placed on said chuck. From said process gas supply mechanism, etchant gas that etches the organic film of said wafer is introduced into the middle of said wafer. From said process gas supply mechanism, an etching inhibiting factor gas having the property of reacting with said etchant gas is introduced at the periphery of said wafer. Plasma etching of said wafer is performed using said etchant gas.
(FR) La présente invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur par lequel une forme gravée peut être rendue plus uniforme au centre et à la périphérie. Dans ce procédé, un dispositif semi-conducteur comprenant ladite tranche est fabriqué à l'aide d'un dispositif de gravure plasma équipé de : une chambre; un mandrin agencé dans cette chambre et sur lequel une tranche à traiter est placée; une bague de mise au point agencée à la périphérie dudit mandrin de manière à entourer la position de placement de ladite tranche; et un mécanisme d'alimentation en gaz qui est apte à alimenter un gaz de différents types selon une position dans la direction radiale de ladite tranche. Une tranche formée d'un film organique est placée sur ledit mandrin. Depuis ledit mécanisme d'alimentation en gaz de traitement, un gaz d'agent de gravure qui grave le film organique de ladite tranche est introduit au centre de ladite tranche. Depuis ledit mécanisme d'alimentation en gaz de traitement, un gaz de facteur inhibant la gravure ayant la propriété de réagir avec ledit gaz d'agent de gravure est introduit à la périphérie de ladite tranche. Une gravure plasma de ladite tranche est réalisée à l'aide dudit gaz d'agent de gravure.
(JA)  中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)