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1. WO2013058760 - ÉLÉMENT MEMRISTIF BASÉ SUR UN OXYDE À HÉTÉROJONCTION

Numéro de publication WO/2013/058760
Date de publication 25.04.2013
N° de la demande internationale PCT/US2011/057230
Date du dépôt international 21.10.2011
CIB
H01L 27/115 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
H01L 21/8247 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
8247programmables électriquement (EPROM)
CPC
G11C 13/003
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
003Cell access
G11C 2213/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
10Resistive cells; Technology aspects
15Current-voltage curve
G11C 2213/55
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
50Resistive cell structure aspects
55Structure including two electrodes, a memory active layer and at least two other layers which can be a passive or source or reservoir layer or a less doped memory active layer
G11C 2213/56
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
50Resistive cell structure aspects
56Structure including two electrodes, a memory active layer and a so called passive or source or reservoir layer which is NOT an electrode, wherein the passive or source or reservoir layer is a source of ions which migrate afterwards in the memory active layer to be only trapped there, to form conductive filaments there or to react with the material of the memory active layer in redox way
G11C 2213/71
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
71Three dimensional array
H01C 10/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CRESISTORS
10Adjustable resistors
Déposants
  • HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • YANG, Jianhua [CN]/[US] (UsOnly)
  • ZHANG, Minxian Max [US]/[US] (UsOnly)
  • WILLIAMS, Stanley R [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • YANG, Jianhua
  • ZHANG, Minxian Max
  • WILLIAMS, Stanley R
Mandataires
  • BROWN, Sandra D.M.
Données relatives à la priorité
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MEMRISTIVE ELEMENT BASED ON HETERO-JUNCTION OXIDE
(FR) ÉLÉMENT MEMRISTIF BASÉ SUR UN OXYDE À HÉTÉROJONCTION
Abrégé
(EN) Memristive elements are provided that include an active region disposed between a first electrode and a second electrode. The active region includes an switching layer of a first metal oxide and a conductive layer of a second metal oxide, where a metal ion of the first metal oxide differs from a metal ion of the second metal oxide. The memristive element exhibits a nonlinear current-voltage characteristic in the low resistance state based on the oxide hetero-junction between the first metal oxide and the second metal oxide. Multilayer structures that include the memristive elements also are provided.
(FR) La présente invention a trait à des éléments memristifs qui incluent une région active qui est disposée entre une première électrode et une seconde électrode. La région active inclut une couche de commutation constituée d'un premier oxyde métallique et une couche conductrice constituée d'un second oxyde métallique, un ion métal du premier oxyde métallique différant d'un ion métal du second oxyde métallique. L'élément memristif présente une caractéristique courant-tension non linéaire dans l'état de faible résistance en se basant sur l'hétérojonction de l'oxyde entre le premier oxyde métallique et le second oxyde métallique. La présente invention a également trait à des structures multicouches qui incluent les éléments memristifs.
Documents de brevet associés
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