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1. WO2013058002 - DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE

Numéro de publication WO/2013/058002
Date de publication 25.04.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2012/069728
Date du dépôt international 02.08.2012
CIB
H01L 31/107 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H01L 27/14 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 31/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
CPC
H01L 21/76898
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76898formed through a semiconductor substrate
H01L 2224/11
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
11Manufacturing methods
H01L 27/1443
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
1443with at least one potential jump or surface barrier
H01L 27/1446
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
1446in a repetitive configuration
H01L 27/14605
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
14605Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
H01L 28/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
20Resistors
Déposants
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 永野 輝昌 NAGANO Terumasa [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 細川 暢郎 HOSOKAWA Noburo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鈴木 智史 SUZUKI Tomofumi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 馬場 隆 BABA Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 永野 輝昌 NAGANO Terumasa
  • 細川 暢郎 HOSOKAWA Noburo
  • 鈴木 智史 SUZUKI Tomofumi
  • 馬場 隆 BABA Takashi
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
Données relatives à la priorité
2011-23210421.10.2011JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE
(JA) 光検出装置
Abrégé
(EN) A semiconductor light detection element (10) has a plurality of channels, each channel constituting a photodiode array (PDA) containing multiple avalanche photodiodes (APD) operating in Geiger mode, quenching resistors (R1) connected to each avalanche photodiode (APD) in series, and a signal line (TL) to which the quenching resistors (R1) are connected in parallel. A mount substrate (20) has multiple electrodes (E9) corresponding to each channel and arranged on the side of main surface (20a), and a signal processing unit (SP) for processing the output signal from each channel on the side of main surface (20b). A through electrode (TE) electrically connected to the signal line (TL) is formed on a semiconductor substrate (1N) for each channel. The through electrodes (TE) and electrodes (E9) are electrically coupled via bump electrodes (BE).
(FR) La présente invention se rapporte à un élément de détection de lumière semi-conducteur (10) qui comprend une pluralité de canaux, chaque canal constituant un réseau de photodiodes (PDA) comportant de multiples photodiodes à avalanche (APD) qui fonctionnent en mode Geiger, des résistances de coupure (R1) raccordées en série à chaque photodiode à avalanche (APD) et une ligne de signal (TL) à laquelle les résistances de coupure (R1) sont raccordées en parallèle. Un substrat de montage (20) comprend de multiples électrodes (E9) qui correspondent à chaque canal et qui sont agencées sur le côté de la surface principale (20a), ainsi qu'une unité de traitement de signal (SP) destinée à traiter le signal de sortie provenant de chaque canal sur le côté de la surface principale (20a). Une électrode traversante (TE) raccordée électriquement à la ligne de signal (TL) est formée sur un substrat semi-conducteur (1N) pour chaque canal. Les électrodes traversantes (TE) et les électrodes (E9) sont électriquement couplées par l'intermédiaire d'électrodes à bosse (BE).
(JA)  半導体光検出素子10は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードAPDと、各アバランシェフォトダイオードAPDに対して直列に接続されるクエンチング抵抗R1と、クエンチング抵抗R1が並列に接続される信号線TLと、を含むフォトダイオードアレイPDAを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。搭載基板20は、チャンネル毎に対応した複数の電極E9が主面20a側に配置されると共に、各チャンネルからの出力信号を処理する信号処理部SPが主面20b側に配置されている。半導体基板1Nには、チャンネル毎に、信号線TLと電気的に接続された貫通電極TEが形成されている。貫通電極TEと電極E9とがバンプ電極BEを介して電気的に接続されている。
Documents de brevet associés
DE1120120043839Cette demande ne peut pas être visualisée dans PATENTSCOPE car les données relatives à l'ouverture de la phase nationale n'ont pas encore été publiées ou sont émises par un pays qui ne partage pas de données avec l'OMPI ou il y a un problème de formatage ou d'indisponibilité de la demande.
DE112012004383Cette demande ne peut pas être visualisée dans PATENTSCOPE car les données relatives à l'ouverture de la phase nationale n'ont pas encore été publiées ou sont émises par un pays qui ne partage pas de données avec l'OMPI ou il y a un problème de formatage ou d'indisponibilité de la demande.
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