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1. (WO2013058000) MODULE HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/058000    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/069652
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 02.08.2012
CIB :
H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01P 1/15 (2006.01), H03K 17/00 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
OKUDA, Nobuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANAE, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASAKA, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKUDA, Nobuyoshi; (JP).
KANAE, Masaaki; (JP).
HAYASAKA, Naoki; (JP)
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-228050 17.10.2011 JP
2012-137437 19.06.2012 JP
Titre (EN) HIGH-FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
Abrégé : front page image
(EN)In a simple and compact form, the invention creates a high-frequency module provided with a switch circuit that, from one balanced terminal, switches to and connects to one of multiple balanced terminals. The high-frequency module (100) is provided with switch IC elements (SW-, SW+) and a substrate (101). The switch IC elements (SW-, SW+) are the same IC chip, and are mounted in the same orientation. Switch IC element (SW-) is mounted on the substrate (101). Switch IC element (SW+) is mounted on switch IC element (SW-). Each pad electrode of the switch IC elements (SW-, SW+) is connected by means of wire bonding to a land electrode to be connected to said pad electrode, said land electrode being of the substrate (101). No other land electrode is provided between each mutually connected pad electrode and land electrode.
(FR)La présente invention se rapporte, sous une forme simple et compacte, à un module haute fréquence qui est pourvu d'un circuit de commutation qui, à partir d'une borne équilibrée, commute et se raccorde à l'une des multiples bornes équilibrées. Le module haute fréquence (100) est pourvu d'éléments de circuit intégré de commutation (SW-, SW+) et d'un substrat (101). Les éléments de circuit intégré de commutation (SW-, SW+) constituent la même puce de circuit intégré et sont montés selon la même orientation. L'élément de circuit intégré de commutation (SW-) est monté sur le substrat (101). L'élément de circuit intégré de commutation (SW+) est monté sur l'élément de circuit intégré de commutation (SW-). Chaque électrode pastille des éléments de circuit intégré de commutation (SW-, SW+) est raccordée au moyen d'une soudure de fils à une électrode de connexion qui doit être raccordée à ladite électrode pastille, ladite électrode de connexion se composant du substrat (101). Aucune autre électrode de connexion n'est agencée entre une électrode pastille et une électrode de connexion raccordées l'une à l'autre.
(JA) 一つの平衡端子を複数個の平衡端子のいずれかに切り替えて接続するスイッチ回路を備える高周波モジュールを、簡素且つ小型の形状で実現する。高周波モジュール(100)は、スイッチIC素子(SW-,SW+)と、基板(101)とを備える。スイッチIC素子(SW-,SW+)は、同じICチップであり、同じ向きで実装されている。スイッチIC素子(SW-)は基板101に実装されている。スイッチIC素子(SW+)は、スイッチIC素子(SW-)上に実装されている。スイッチIC素子(SW-,SW+)の各パッド電極は、それぞれのパッド電極に接続すべき、基板(101)のランド電極にワイヤーボンディングによって接続されている。互いに接続されるパッド電極とランド電極との間には、他のランド電極が配設されていない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)