WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013057920) ÉLÉMENT DE STOCKAGE NON VOLATIL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/057920    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/006601
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 16.10.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.03.2013    
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventeurs : HIMENO, Atsushi; .
MURASE, Hideaki; .
ITO, Satoru; .
MIKAWA, Takumi;
Mandataire : NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-231340 21.10.2011 JP
Titre (EN) NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE NON VOLATIL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 不揮発性記憶素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile storage element is provided with a first wiring (102), a first plug (104) which is arranged on and electrically connected with the first wiring (102), an alteration prevention layer (105) which covers the entire region of an upper surface of the first plug (104) and which has electrical conductivity, a variable resistance element (109) which covers a part of an upper surface of the alteration prevention layer (105) and which is electrically coupled with the first plug (104) via the alteration prevention layer (105), and a second wiring (112) which is arranged on and electrically connected with the variable resistance element (109). The variable resistance element (109) includes a variable resistance layer (107) with a state of resistance that reversibly changes on the basis of an electric signal imparted thereto, and the horizontal cross sectional area of a lower surface of the alteration prevention layer (105) is equal to the horizontal cross sectional area of the upper surface of the first plug (104).
(FR)L'invention concerne un élément de stockage non volatil qui comprend un premier conducteur (102), un premier bouchon (104) qui est disposé sur le premier conducteur (102) et qui lui est électriquement connecté, une couche de prévention d'altération (105) qui recouvre la totalité de la région d'une surface supérieure du premier bouchon (104) et qui possède une conductivité électrique, un élément à résistance variable (109) qui recouvre une partie d'une surface supérieure de la couche de prévention d'altération (105) et qui est couplé électriquement au premier bouchon (104), via la couche de prévention d'altération (105), et un second conducteur (112) qui est placé sur l'élément à résistance variable (109) et lui est connecté électriquement. L'élément à résistance variable (109) comprend une couche à résistance variable (107) dont l'état de résistance varie de manière réversible en fonction d'un signal électrique qui lui est appliqué et l'aire de la section transversale horizontale d'une surface inférieure de la couche de prévention d'altération (105) est égale à l'aire de la section transversale horizontale de la surface supérieure du premier bouchon (104).
(JA) 第1の配線(102)と、第1の配線(102)上に配置され、第1の配線(102)に電気的に接続される第1のプラグ(104)と、第1のプラグ(104)の上面の全域を覆い、導電性を有する変質防止層(105)と、変質防止層(105)の上面の一部を覆い、変質防止層(105)を介して第1のプラグ(104)に電気的に接続される抵抗変化素子(109)と、抵抗変化素子(109)上に配置され、抵抗変化素子(109)に電気的に接続される第2の配線(112)と、を備え、抵抗変化素子(109)は、与えられる電気的信号に基づいて抵抗状態が可逆的に変化する抵抗変化層(107)を含み、変質防止層(105)の下面の水平断面積は、第1のプラグ(104)の上面の水平断面積と等しい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)