WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013056186) TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS PAR GRAVURE GUIDÉE PAR CHAMP MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/056186    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/060143
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 12.10.2012
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 5th Floor Oakland, CA 94607-5200 (US).
JIN, Sungho [US/US]; (US).
OH, Young [KR/US]; (US).
CHOI, Chulmin [US/US]; (US).
HONG, Dae-Hoon [US/US]; (US).
KIM, Tae, Kyoung [US/US]; (US)
Inventeurs : JIN, Sungho; (US).
OH, Young; (US).
CHOI, Chulmin; (US).
HONG, Dae-Hoon; (US).
KIM, Tae, Kyoung; (US)
Mandataire : AL, Bing; Perkins Coie LLP P.O. Box 1247 Seattle, WA 98111-1247 (US)
Données relatives à la priorité :
61/546,542 12.10.2011 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PROCESSING BY MAGNETIC FIELD GUIDED ETCHING
(FR) TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS PAR GRAVURE GUIDÉE PAR CHAMP MAGNÉTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods, systems, and devices are described for slicing and shaping materials using magnetically guided chemical etching. In one aspect, a method includes forming a pattern on a substrate by a mask, depositing a catalytic etcher layer on the patterned substrate, a magnetic guide layer on the etcher layer, and a protection layer on the guide layer, etching the substrate by applying an etching solution to the substrate that chemically reacts with the etcher layer and etches material from the substrate at exposed regions not covered by the mask, steering the composite etching structure into the substrate during the etching by an applied magnetic field that creates a force on the guide layer to direct the etching, in which the steering defines the shape of the sliced regions of the etched substrate, and removing the etched material, the mask, and the composite etching structure to produce a sliced material structure.
(FR)La présente invention concerne des procédés, des systèmes et des dispositifs pour découper et donner une forme à des matériaux à l'aide de la gravure chimique à guidage magnétique. Selon un aspect, un procédé consiste à former un motif sur un substrat à l'aide d'un masque, à déposer une couche de gravure catalytique sur le substrat portant le motif, une couche de guidage magnétique sur la couche de gravure et une couche de protection sur la couche de guidage, à graver le substrat par application d'une solution de gravure qui réagit chimiquement avec la couche de gravure et entame le matériau du substrat dans les régions à nu non couvertes par le masque, à diriger la structure de gravure composite dans le substrat pendant la gravure par application d'un champ magnétique qui crée une force sur la couche de guidage pour diriger la gravure, le guidage définissant alors la forme des régions découpées du substrat gravé, et à éliminer le matériau détaché, le masque et la structure de gravure composite pour produire une structure de matériau découpé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)