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1. (WO2013055023) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/055023    N° de la demande internationale :    PCT/KR2012/006240
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 06.08.2012
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TES CO., LTD [KR/KR]; 640-1bunji Jeil-ri, Yangji-myeon, Cheoin-gu, Yongin Si Gyeonggi-Do 449-825 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Dong-Duk [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, U-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Sang-Sun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Dong-Duk; (KR).
LEE, U-Young; (KR).
LEE, Sang-Sun; (KR)
Mandataire : SONG, Kyeong-Keun; 7F., Blue Tower 56, Seocho-Jungangro, Seocho-gu Seoul 137-878 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2011-0104667 13.10.2011 KR
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR PROCESSING SUBSTRATES
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)A substrate processing system comprises a first processing module in which a process gas is supplied to a substrate to etch a silicon oxide layer formed on the substrate and a second processing module in which an activated oxygen gas is supplied to the substrate. With the system and a method using the same, the silicon oxide layer can be etched and a condensation layer and/or fumes and/or photoresist residues can be removed in a cost-effective way.
(FR)La présente invention concerne un système de traitement de substrats, comprenant un premier module de traitement dans lequel un gaz de procédé est fourni au substrat pour graver une couche d'oxyde de silicium formée sur le substrat, et un second module de traitement dans lequel de l'oxygène actif gazeux est fourni au substrat. Grâce au système et au procédé de l'invention, une couche d'oxyde de silicium peut être gravée et une couche de condensation et/ou des fumées et/ou des résidus de résine photosensible peuvent être éliminés de manière économique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)