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1. WO2013051470 - ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À POINT QUANTIQUE

Numéro de publication WO/2013/051470
Date de publication 11.04.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2012/075059
Date du dépôt international 28.09.2012
CIB
H05B 33/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
02Détails
H05B 33/14 2006.1
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
14caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
CPC
C09K 11/025
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
11Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
025non-luminescent particle coatings or suspension media
C09K 11/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
11Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
08containing inorganic luminescent materials
56containing sulfur
H01L 31/035218
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
035209comprising a quantum structures
035218the quantum structure being quantum dots
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 49/006
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
49Solid state devices not provided for in groups H01L27/00 - H01L47/00 and H01L51/00 and not provided for in any other subclass; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
006Quantum devices, e.g. Quantum Interference Devices, Metal Single Electron Transistor
H01L 51/502
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5012Electroluminescent [EL] layer
502comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
Déposants
  • 住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 福浦 知浩 FUKUURA, Tomohiro
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
2011-21915903.10.2011JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À POINT QUANTIQUE
(JA) 量子ドット発光素子
Abrégé
(EN) Provided is a quantum dot light-emitting element that is provided with: a light-emitting layer which contains a quantum dot light-emitting material; and a metal particle assembly layer which is formed of a particle assembly wherein 30 or more metal particles are two-dimensionally arranged apart from one another so that the average distance between adjacent metal particles is within the range of 1-150 nm. The metal particles have an average particle diameter within the range of 200-1,600 nm, an average height within the range of 55-500 nm and an aspect ratio within the range of 1-8. This quantum dot light-emitting element has high luminous efficiency due to light emission enhancement by the metal particle assembly layer.
(FR) L'invention porte sur un élément électroluminescent à point quantique qui comprend : une couche électroluminescente qui contient un matériau électroluminescent à point quantique ; et une couche d'ensemble de particules métalliques qui est formée d'un ensemble de particules dans lequel au moins 30 particules métalliques sont agencées d'une manière bidimensionnelle espacées les unes des autres de manière à ce que la distance moyenne entre particules métalliques adjacentes soit incluse dans la plage de 1-150 nm. Les particules métalliques ont un diamètre de particule moyen dans la plage de 200-1 600 nm, une hauteur moyenne dans la plage de 55-500 nm et un rapport d'allongement dans la plage de 1-8. Cet élément électroluminescent à point quantique possède une efficacité lumineuse élevée due à une amélioration de l'émission de lumière par la couche d'ensemble de particules métalliques.
(JA)  量子ドット発光材料を含む発光層と、30個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる粒子集合体からなる層であって、金属系粒子はその平均粒径が200~1600nmの範囲内、平均高さが55~500nmの範囲内、アスペクト比が1~8の範囲内にあり、隣り合う金属系粒子との平均距離が1~150nmの範囲内となるように金属系粒子を配置した金属系粒子集合体層とを備える量子ドット発光素子が提供される。この量子ドット発光素子は、金属系粒子集合体層による発光増強により、高い発光効率を示す。
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